磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器的核准國家是美國, 證書號碼是6791887, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是奈米電子關鍵技術四年計畫, 專利發明人是洪建中, 高明哲, 潘宗銘, 陳永祥.

序號	870
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米電子關鍵技術四年計畫
專利發明人	洪建中 \| 高明哲 \| 潘宗銘 \| 陳永祥
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	6791887
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明為一種簡化的磁性隨機存取記憶體之參考電流值產生器，乃是設於磁性隨機存取記憶體之記憶單元鄰近，其使用之參考元件係與記憶體單元相同之記憶元件及承受相同的跨壓。複數個該參考元件藉由使用一條或多條位元線組成參考電流值產生器，並藉與記憶單元相同的電壓跨接於上述的參考元件產生複數個電流訊號；並藉一週邊IC電路二分該複數個電流訊號，得到複數個中點電流參考值，供包括雙穩態（2-States）以上的多穩態記憶單元讀取資料。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	張順賢
電話	03-5913917
傳真	(空)
電子信箱	shchang@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形	(空)

序號

870

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵技術四年計畫

專利發明人

洪建中 | 高明哲 | 潘宗銘 | 陳永祥

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6791887

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明為一種簡化的磁性隨機存取記憶體之參考電流值產生器，乃是設於磁性隨機存取記憶體之記憶單元鄰近，其使用之參考元件係與記憶體單元相同之記憶元件及承受相同的跨壓。複數個該參考元件藉由使用一條或多條位元線組成參考電流值產生器，並藉與記憶單元相同的電壓跨接於上述的參考元件產生複數個電流訊號；並藉一週邊IC電路二分該複數個電流訊號，得到複數個中點電流參考值，供包括雙穩態（2-States）以上的多穩態記憶單元讀取資料。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

張順賢

電話

03-5913917

傳真

(空)

電子信箱

shchang@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

(空)

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磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 223259 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 潘宗銘 \| 陳永祥 @ 技術司專利資料集
磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL03152660.8 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 97 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中高明哲潘宗銘陳永祥 @ 技術司專利資料集
磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6862228 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 94 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 \| 高明哲 \| 潘宗銘 \| 陳永祥 @ 技術司專利資料集

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相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I338392 \| 專利期間起: 100/03/01 \| 專利期間訖: 118/04/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,888,155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7888155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
MRAM 元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current \| 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。 @ 技術司可移轉技術資料集
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... \| 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
相變化薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 \| 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
高介電值閘極介電物技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 @ 技術司可移轉技術資料集
相變化記憶體元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 \| 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大 @ 技術司可移轉技術資料集

相變化記憶體元件及其製造方法

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相變化記憶體元件及其製造方法

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相變化記憶體元件及其製造方法

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MRAM 元件製程技術

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用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

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相變化薄膜製程技術

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高介電值閘極介電物技術

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相變化記憶體元件與製程技術

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生醫晶片檢測裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220926 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 朱朝居 \| 黃得瑞 \| 楊子平
生物芯片的訊號檢測方法與裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL00130065.2 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 朱朝居 \| 黃得瑞 \| 楊子平 \| 李耀裕 \| 陳錦森
卡匣活動扇門之開啟裝置	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,643,242 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 黃安穎 \| 柯朝元
導線懸吊型制動器之結構與電流路徑配置方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,714,491 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 柯朝元 \| 魏立鼎 \| 何明風
複合透鏡的制作方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL99118515.3 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 郭孟鑫 \| 韓偉國
通用型數字影音錄放裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL00118357.5 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 吳國瑞 \| 桂清平 \| 黃得瑞 \| 喬作文 \| 陳傳章
具有多層記錄層的光碟片的製作方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL99111450.7 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 黃得瑞 \| 蔣東堯 \| 鄭尊仁 \| 應台發 \| 林耕華
可擦拭之光學記錄材料	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189318 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 吳至原 \| 莊永欽 \| 蔣東堯 \| 鄭尊仁 \| 姚永德 \| 黃得瑞 \| 陳雲嬌 \| 顏文信
以旋鍍模壓方式製作多層光學記錄媒體的方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL00109085.2 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 黃得瑞
多層光信息記錄載體的製造方法	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL00130277.9 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 廖文毅 \| 黃得瑞 \| 鄭尊仁 \| 黃建喨 \| 楊惠雯 \| 顏伯甫
多層光資訊記錄載體的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192474 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 廖文毅 \| 黃得瑞 \| 鄭尊仁 \| 黃建喨 \| 楊惠雯 \| 顏伯甫
資料儲存媒體用之花青TCNQ錯化合物色素	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190485 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 廖文毅 \| 黃建喨 \| 顏春福 \| 楊惠雯 \| 鄭尊仁 \| 黃得瑞 \| 胡德 \| 李明家 \| 李重君
喜好色調之色彩轉換方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190237 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳君彥
適用於校正雷射三次元量測器之方法及裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 191497 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 羅文秀 \| 林明慧
以特徵線分割重建規則化三維模型的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 194398 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳加珍 \| 羅文秀

磁性隨機存取記憶體之參考中點電流產生器 - 技術司專利資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

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