多重厚度絕緣層製作方法及結構
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文多重厚度絕緣層製作方法及結構的核准國家是中華民國, 證書號碼是222134, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是陳邦旭, 許博欽, 劉致為.

序號	873
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	多重厚度絕緣層製作方法及結構
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院創新前瞻技術研究計畫
專利發明人	陳邦旭 \| 許博欽 \| 劉致為
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	222134
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明一種多重厚度絕緣層製作方法係藉由應力所產生的應變場，改變量子點上絕緣層的成長機制，藉由其絕緣層成長速率的變異，形成多層厚度的絕緣層，以有效地運用在奈米電子元件中抵擋漏電流及元件隔絕，使奈米電子元件更具可靠性，而藉由此方法使得奈米電子元件的製作更深具其潛力。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	張順賢
電話	03-5913917
傳真	(空)
電子信箱	shchang@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形	(空)

序號

873

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

多重厚度絕緣層製作方法及結構

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院創新前瞻技術研究計畫

專利發明人

陳邦旭 | 許博欽 | 劉致為

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

222134

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明一種多重厚度絕緣層製作方法係藉由應力所產生的應變場，改變量子點上絕緣層的成長機制，藉由其絕緣層成長速率的變異，形成多層厚度的絕緣層，以有效地運用在奈米電子元件中抵擋漏電流及元件隔絕，使奈米電子元件更具可靠性，而藉由此方法使得奈米電子元件的製作更深具其潛力。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

張順賢

電話

03-5913917

傳真

(空)

電子信箱

shchang@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

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海鮮調味料K-222134	英文商品名稱: Nam Prik Pow Seasoning K-222134 \| 食品添加物產品登錄碼: TFAB30000116129 \| 分類: 海鮮、 \| 型態: 粉狀(粉劑)、 \| 公司或商業登記名稱: 聯華食品工業股份有限公司 \| 食品業者登錄字號: A-107569627-00000-0 @ 食品添加物業者及產品登錄資料集
南港山系_象山親山步道	開放時間: 開放空間 \| \| 電話: 886-2-27593001 \| 地址: @ 景點 - 觀光資訊資料庫
北上在328.5公里過烏山頭交流道外線 2小貨車事故	地區區分說明: 福爾摩沙高速公路-國道３號 \| 道路名稱: \| 路況類別: 事故 \| 方向: 北上 \| 資料來源: \| 修改時間: 2022-06-28 16:42:53.757 @ 警廣即時路況
南下在328.5公里近烏山頭小客車自撞護欄佔用外線車道	地區區分說明: 福爾摩沙高速公路-國道３號 \| 道路名稱: \| 路況類別: 事故 \| 方向: 南下 \| 資料來源: \| 修改時間: 2022-06-29 14:21:53.243 @ 警廣即時路況
全聯實業股份有限公司太平中和分公司	所在工業區名稱: \| (實際廠場)地址: 臺中市太平區東平里中和街三六六、三六八號 \| 營利事業統一編號: 89185212 \| 管制編號: B0415432 @ 環境保護許可管理系統(暨解除列管)對象基本資料
三民林道	主支線: 主線 \| 起點: 台29線馬雅里旁分岔出的產業道路上 \| 終點: 旗山100林班 \| 總長度: 16.15 \| 管制點: \| 事業區林班: 旗山17 \| 高雄市 \| 那瑪夏區 \| 馬雅里、達卡努瓦里 \| 備註: @ 林道清單
臺中市工商婦女協會	連絡電話: 0928334345 \| 地址: 411臺中市太平區平安里5鄰鵬儀路238巷4號 \| 單位類型: 社會服務及慈善團體 \| 最後更新時間: 1130716 @ 臺中市人民團體-社會服務及慈善團體
樟樹灣(中興路)	站位代碼: 2814 \| 地址: 中興路22號(向北) \| 去返程: 0 \| 上下車站別: 0 \| 所屬路線代碼: 19741 \| Bus Stop Name: Zhang Shu Wan 1 @ 公車站位資訊

海鮮調味料K-222134

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南港山系_象山親山步道

開放時間: 開放空間 | | 電話: 886-2-27593001 | 地址:

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北上在328.5公里過烏山頭交流道外線 2小貨車事故

@ 警廣即時路況

南下在328.5公里近烏山頭小客車自撞護欄佔用外線車道

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全聯實業股份有限公司太平中和分公司

所在工業區名稱: | (實際廠場)地址: 臺中市太平區東平里中和街三六六、三六八號 | 營利事業統一編號: 89185212 | 管制編號: B0415432

@ 環境保護許可管理系統(暨解除列管)對象基本資料

三民林道

@ 林道清單

臺中市工商婦女協會

連絡電話: 0928334345 | 地址: 411臺中市太平區平安里5鄰鵬儀路238巷4號 | 單位類型: 社會服務及慈善團體 | 最後更新時間: 1130716

@ 臺中市人民團體-社會服務及慈善團體

樟樹灣(中興路)

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多重厚度絕緣層製作方法

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相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I338392 \| 專利期間起: 100/03/01 \| 專利期間訖: 118/04/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,888,155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7888155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
MRAM 元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current \| 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。 @ 技術司可移轉技術資料集
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... \| 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
相變化薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 \| 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
高介電值閘極介電物技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 @ 技術司可移轉技術資料集
相變化記憶體元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 \| 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大 @ 技術司可移轉技術資料集

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高抗水性遇熱膨脹型耐燃劑組成物	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 196134 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 張錫邦 \| 鄒正德 \| 李鴻飛
含磷化合物及其難燃應用	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195040 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 邱義雄 \| 江孟丹 \| 劉英麟
酸性含氟聚(矽氧烷醯胺亞醯胺)-矽石混成化合物的製備	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 196459 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 邱義雄 \| 黃興材 \| 張德全 \| 王國平 \| 洪耀勳
複材管件結構改良	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: M 248593 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 莫文偉 \| 卓錫樑 \| 王正煥 \| 孫士璋 \| 葛光祥 \| 黃鼎貴
具傾角之疊瓦式複合材料管件之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 201585 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 盧志勤 \| 章俊文 \| 林進龍 \| 黃茂益
耐高溫微波複合材料之強化方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206626 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 翁炳志 \| 吳宗明 \| 趙樹漢 \| 黃金堂
ACIDIC FLUORINE-CONTAINING POLY(SILOXANE AMIDEIMIDE) SILICA HYBRIDS	核准國家: 美國 \| 證書號碼: US 6815519 B2 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 關鍵元件材料開發及應用四年計畫 \| 專利發明人: 邱義雄 \| 黃興材 \| 張德全 \| 王國平 \| 洪耀勳
含多孔導波管之複材厚板結構與製程	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第I 221114號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 專利發明人: 林永崑 \| 莊毓蕙 \| 李昌崙 \| 李錦坤 \| 柯正忠 \| 陳振航
多重複雜斷面之複材導波管及其製法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第I 224554號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 專利發明人: 陳育德 \| 林永崑 \| 莊毓蕙 \| 施宗仁 \| 陳振航
纖維強化塑膠管件之改良結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 新型第M 251105號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 專利發明人: 葛光祥 \| 王正煥 \| 萬瑞華 \| 葉勝雄 \| 陳浩明 \| 林治舜
具斜角之疊瓦式複合材料管件之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第I 201585號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 專利發明人: 章俊文 \| 黃茂益 \| 林進龍 \| 盧志勤
金屬濺鍍靶材的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第182793號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 專利發明人: 李滄曉 \| 陳俊雄 \| 葉建宏 \| 陳李賀 \| 趙勤孝 \| 陳虹樺
含有微量鈧之塊狀鋯基非晶質合金鑄造	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第197724號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭榮瑞 \| 林於隆 \| 陳俊雄 \| 許華夫 \| 葉建宏 \| 張忠柄
鎳錸合金電鑄液組成物	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 發明第223010號 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 功能性材料應用研究發展四年計畫 \| 專利發明人: 吳憲明 \| 黃建和 \| 許文榮 \| 詹忠榮
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