電泳顯示器之製造方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文電泳顯示器之製造方法的核准國家是中華民國, 證書號碼是203568, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 專利發明人是廖奇璋, 劉康弘, 辛隆賓, 翁逸君, 沙益安, 詹景翔, 許家榮, 吳仲文, 林耀生.

序號	895
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	電泳顯示器之製造方法
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人	廖奇璋 \| 劉康弘 \| 辛隆賓 \| 翁逸君 \| 沙益安 \| 詹景翔 \| 許家榮 \| 吳仲文 \| 林耀生
核准國家	中華民國
獲證日期	(空)
證書號碼	203568
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明是應用光聚合材料於電泳顯示器製造方法。主要特徵係將具有色彩之帶電粒子以光聚合材料包裹，以達成電泳法顯示之目的。其製程為先將第一層光聚合材料塗佈於具有緩衝層之輔助基板上進行光聚合製程，於聚合後之第一層光聚合材料層上，再進行電泳顯示器所需之製程；將第二層光聚合材料塗佈於具有複數電極圖案等電泳顯示器所需之一基板後，利用光罩曝光使光聚合材料形成固化聚合壁(polymer wall)，或是利用模製方式(mold)並配合紫外光照射，使光聚合材料固化形成聚合壁。接著，於聚合壁形成之空穴內，填充具有色彩之帶電粒子與少量光聚合材料形成之混合物，再將輔助基板與基板對準，進行光罩曝光聚合製程，使輔助基板與基板結合，最後將輔助基板剝離而完成單一基板電泳顯示器之製作，另外，更可製造成一無基板之電泳顯示器。應用本發明製程方法之顯示器將具有製程步驟較少、製程條件較易控制及多樣化顯示模式等特色之電泳顯示器。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	謝旺廷
電話	03-5913551
傳真	(空)
電子信箱	wthsieh@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形	(空)

序號

895

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

電泳顯示器之製造方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

專利發明人

廖奇璋 | 劉康弘 | 辛隆賓 | 翁逸君 | 沙益安 | 詹景翔 | 許家榮 | 吳仲文 | 林耀生

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

203568

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明是應用光聚合材料於電泳顯示器製造方法。主要特徵係將具有色彩之帶電粒子以光聚合材料包裹，以達成電泳法顯示之目的。其製程為先將第一層光聚合材料塗佈於具有緩衝層之輔助基板上進行光聚合製程，於聚合後之第一層光聚合材料層上，再進行電泳顯示器所需之製程；將第二層光聚合材料塗佈於具有複數電極圖案等電泳顯示器所需之一基板後，利用光罩曝光使光聚合材料形成固化聚合壁(polymer wall)，或是利用模製方式(mold)並配合紫外光照射，使光聚合材料固化形成聚合壁。接著，於聚合壁形成之空穴內，填充具有色彩之帶電粒子與少量光聚合材料形成之混合物，再將輔助基板與基板對準，進行光罩曝光聚合製程，使輔助基板與基板結合，最後將輔助基板剝離而完成單一基板電泳顯示器之製作，另外，更可製造成一無基板之電泳顯示器。應用本發明製程方法之顯示器將具有製程步驟較少、製程條件較易控制及多樣化顯示模式等特色之電泳顯示器。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

傳真

(空)

電子信箱

wthsieh@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

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電泳顯示器之製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206722 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖奇璋 \| 陳明道 \| 劉康弘 \| 林英哲 \| 翁逸君 \| 李正中 \| 賴志明 \| 許家榮 \| 范揚宜 @ 技術司專利資料集
電泳顯示器之製造方法	核准國家: 日本 \| 證書號碼: 4416464 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 98 \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 專利發明人: 廖奇璋 \| 劉康弘 \| 辛隆賓 \| 翁逸君 \| 沙益安 \| 詹景翔 \| 許家榮 \| 吳仲文 \| 林耀生 @ 技術司專利資料集
電泳顯示器之製造方法	核准國家: 日本 \| 證書號碼: 4416464 \| 專利期間起: 1998/12/4 \| 專利期間訖: 112/09/24 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 \| 專利發明人: 廖奇璋 \| 劉康弘 \| 辛隆賓 \| 翁逸君 \| 沙益安 \| 詹景翔 \| 許家榮 \| 吳仲文 \| 林耀生 @ 技術司專利資料集

電泳顯示器之製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 206722 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 廖奇璋 | 陳明道 | 劉康弘 | 林英哲 | 翁逸君 | 李正中 | 賴志明 | 許家榮 | 范揚宜

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電泳顯示器之製造方法

核准國家: 日本 | 證書號碼: 4416464 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 98 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 廖奇璋 | 劉康弘 | 辛隆賓 | 翁逸君 | 沙益安 | 詹景翔 | 許家榮 | 吳仲文 | 林耀生

@ 技術司專利資料集

電泳顯示器之製造方法

核准國家: 日本 | 證書號碼: 4416464 | 專利期間起: 1998/12/4 | 專利期間訖: 112/09/24 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院顯示中心 | 產出年度: 99 | 計畫名稱: 新世代捲軸軟性顯示關鍵技術發展計畫 | 專利發明人: 廖奇璋 | 劉康弘 | 辛隆賓 | 翁逸君 | 沙益安 | 詹景翔 | 許家榮 | 吳仲文 | 林耀生

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4"10"20" 奈米碳管背光技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W \| 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... \| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
20吋奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Size:20”；均勻度 \| 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
CNT-BLU技術商品化規格驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 \| 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
CNT-FED/CNT-BLU材料驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole \| 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ \| 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... \| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集

4"10"20" 奈米碳管背光技術

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LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

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輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

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20吋奈米碳管場發射顯示技術

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CNT-BLU技術商品化規格驗證

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CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

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10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

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LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

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薄膜氣體擴散電極及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 190616 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院材料所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 李文錦 \| 周淑金 \| 葉信宏 \| 陳冠良 \| 謝坤龍 \| 陳銘倫
增加電荷耦合裝置影像動態範圍之新技術	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,707,499 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 貢振邦 \| 林子平 \| 尤智仕
偵測訊號頻率的類比裝置與方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192948 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭丁元
鎖頻濾波的接收裝置及其方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,763,230 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 鄭丁元
單相輸入調頻調積體解調器	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189588 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 李青峰
微控制器/微處理器在電磁干擾下之自動回復方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192167 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 柯明道 \| 宋尤昱
微控制器/微處理器在電磁干擾下之自動回復方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,658,597 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 柯明道 \| 宋尤昱
發光元件的驅動控制電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 185602 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 蔡嘉明
發光元件的驅動控制電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,735,228 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 蔡嘉明
具有整波電路之高速雷射驅動器	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,798,802 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 周明忠
壓制電流分配的充放電路	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,794,911 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院晶片中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 晶片系統關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張毓仁
電力控制電路	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 214743 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 陳盛仁 \| 楊景榮 \| 林俊宏 \| 陳燦林
提高掃頻電路頻率解析與準確度之系統	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 184318 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 郭晉榮 \| 黃俊雄
低頻率漂移數位頻率調制裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195328 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 高炳文 \| 謝賜山 \| 紀秋棉
光學編碼器定位裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 193120 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院量測中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 自動光學顯微檢測設備技術三年計畫 \| 專利發明人: 林慶芳

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