專利名稱-中文相變化記憶體元件及其製造方法的核准國家是美國, 證書號碼是7,888,155, 專利期間起是100/02/15, 專利期間訖是118/07/31, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是100, 計畫名稱是固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫, 專利發明人是FREDERICKT.CHEN.
| 序號 | 8332 |
| 產出年度 | 100 |
| 領域別 | 電資通光 |
| 專利名稱-中文 | 相變化記憶體元件及其製造方法 |
| 執行單位 | 工研院電光所 |
| 產出單位 | 工研院電光所 |
| 計畫名稱 | 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 |
| 專利發明人 | FREDERICKT.CHEN |
| 核准國家 | 美國 |
| 獲證日期 | 100/03/10 |
| 證書號碼 | 7,888,155 |
| 專利期間起 | 100/02/15 |
| 專利期間訖 | 118/07/31 |
| 專利性質 | 發明 |
| 技術摘要-中文 | 本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括：一第一電極形成於一基板；一第一介電層形成於該第一電極之上，其中該第一介電層具有一開口，且該開口露出該第一電極之一上表面；一柱狀結構直接形成該第一電極上，並位於該開口內；一內相變化材料層環繞該柱狀結構，並直接接觸該第一電極；一第二介電層環繞該內相變化材料層；一外相變化材料層環繞該第二介電層；一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間，並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層；以及，一第二電極直接形成於該柱狀結構之上，並直接接觸該內相 |
| 技術摘要-英文 | (空) |
| 聯絡人員 | 張順賢 |
| 電話 | 03-5913917 |
| 傳真 | 03-5917690 |
| 電子信箱 | hchang@itri.org.tw |
| 參考網址 | (空) |
| 備註 | (空) |
| 特殊情形 | (空) |
序號8332 |
產出年度100 |
領域別電資通光 |
專利名稱-中文相變化記憶體元件及其製造方法 |
執行單位工研院電光所 |
產出單位工研院電光所 |
計畫名稱固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 |
專利發明人FREDERICKT.CHEN |
核准國家美國 |
獲證日期100/03/10 |
證書號碼7,888,155 |
專利期間起100/02/15 |
專利期間訖118/07/31 |
專利性質發明 |
技術摘要-中文本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括：一第一電極形成於一基板；一第一介電層形成於該第一電極之上，其中該第一介電層具有一開口，且該開口露出該第一電極之一上表面；一柱狀結構直接形成該第一電極上，並位於該開口內；一內相變化材料層環繞該柱狀結構，並直接接觸該第一電極；一第二介電層環繞該內相變化材料層；一外相變化材料層環繞該第二介電層；一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間，並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層；以及，一第二電極直接形成於該柱狀結構之上，並直接接觸該內相 |
技術摘要-英文(空) |
聯絡人員張順賢 |
電話03-5913917 |
傳真03-5917690 |
電子信箱hchang@itri.org.tw |
參考網址(空) |
備註(空) |
特殊情形(空) |
根據識別碼 7 888 155 找到的相關資料
(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 7 888 155 ...) | 開放資料燈號: 黃色 | 地震報告編號: 112070 | 地震報告種類: 地震報告 @ 顯著有感地震報告 |
| 開放資料燈號: 黃色 | 地震報告編號: 113489 | 地震報告種類: 地震報告 @ 顯著有感地震報告 |
| 開放資料燈號: 綠色 | 地震報告編號: 114039 | 地震報告種類: 地震報告 @ 顯著有感地震報告 |
| 開放資料燈號: 黃色 | 地震報告編號: 114070 | 地震報告種類: 地震報告 @ 顯著有感地震報告 |
| 開放資料燈號: 綠色 | 地震報告編號: 112038 | 地震報告種類: 地震報告 @ 顯著有感地震報告 |
| 開放資料燈號: 黃色 | 地震報告編號: 114040 | 地震報告種類: 地震報告 @ 顯著有感地震報告 |
| 發言日期: 1140206 | 發言時間: 143317 | 公司名稱: 慧洋-KY | 公司代號: 2637 | 事實發生日: 1140206 | 符合條款: 第51款 | 說明: 1.事實發生日:114/02/06
2.公司名稱:慧洋海運股份有限公司
3.與公司關係(請輸入本公司或子公司):本公司
4.相互持股比例:不適用
5.發生緣由:補充公告本公司114年01月份自結盈餘
... @ 上市公司每日重大訊息 |
| 王文志／幼葉林藝術創作工作室 | 嘉義縣 | 場域: 其他 | 嘉義縣太保市故宮大道888號(博物館東翼戶外庭園區) @ 文化部公共藝術 |
開放資料燈號: 黃色 | 地震報告編號: 112070 | 地震報告種類: 地震報告 @ 顯著有感地震報告 |
開放資料燈號: 黃色 | 地震報告編號: 113489 | 地震報告種類: 地震報告 @ 顯著有感地震報告 |
開放資料燈號: 綠色 | 地震報告編號: 114039 | 地震報告種類: 地震報告 @ 顯著有感地震報告 |
開放資料燈號: 黃色 | 地震報告編號: 114070 | 地震報告種類: 地震報告 @ 顯著有感地震報告 |
開放資料燈號: 綠色 | 地震報告編號: 112038 | 地震報告種類: 地震報告 @ 顯著有感地震報告 |
開放資料燈號: 黃色 | 地震報告編號: 114040 | 地震報告種類: 地震報告 @ 顯著有感地震報告 |
發言日期: 1140206 | 發言時間: 143317 | 公司名稱: 慧洋-KY | 公司代號: 2637 | 事實發生日: 1140206 | 符合條款: 第51款 | 說明: 1.事實發生日:114/02/06
2.公司名稱:慧洋海運股份有限公司
3.與公司關係(請輸入本公司或子公司):本公司
4.相互持股比例:不適用
5.發生緣由:補充公告本公司114年01月份自結盈餘
... @ 上市公司每日重大訊息 |
王文志／幼葉林藝術創作工作室 | 嘉義縣 | 場域: 其他 | 嘉義縣太保市故宮大道888號(博物館東翼戶外庭園區) @ 文化部公共藝術 |
[ 搜尋所有 7 888 155 ... ]
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I338392 | 專利期間起: 100/03/01 | 專利期間訖: 118/04/23 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 7888155 | 專利期間起: 100/02/15 | 專利期間訖: 118/07/31 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I338392 | 專利期間起: 100/03/01 | 專利期間訖: 118/04/23 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: 7888155 | 專利期間起: 100/02/15 | 專利期間訖: 118/07/31 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 100 | 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集 |
[ 搜尋所有 相變化記憶體元件及其製造方法 ... ]
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,184,491 | 專利期間起: 101/05/22 | 專利期間訖: 119/08/26 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,198,620 | 專利期間起: 101/06/21 | 專利期間訖: 119/09/26 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN | 蔡銘進 | 陳維恕 | 李亨元 @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 8184491 | 專利期間起: 101/05/22 | 專利期間訖: 119/08/26 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 8198620 | 專利期間起: 101/06/21 | 專利期間訖: 119/09/26 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN | 蔡銘進 | 陳維恕 | 李亨元 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,184,491 | 專利期間起: 101/05/22 | 專利期間訖: 119/08/26 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,198,620 | 專利期間起: 101/06/21 | 專利期間訖: 119/09/26 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN | 蔡銘進 | 陳維恕 | 李亨元 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: 8184491 | 專利期間起: 101/05/22 | 專利期間訖: 119/08/26 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: 8198620 | 專利期間起: 101/06/21 | 專利期間訖: 119/09/26 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 101 | 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 | 專利發明人: FREDERICKT.CHEN | 蔡銘進 | 陳維恕 | 李亨元 @ 技術司專利資料集 |
[ 搜尋所有 FREDERICKT.CHEN ... ]
根據電話 03-5913917 找到的相關資料
(以下顯示 6 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5913917 ...) | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大 @ 技術司可移轉技術資料集 |
| 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大 @ 技術司可移轉技術資料集 |
執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% | 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術 @ 技術司可移轉技術資料集 |
[ 搜尋所有 03-5913917 ... ]
在『技術司專利資料集』資料集內搜尋:
與相變化記憶體元件及其製造方法同分類的技術司專利資料集
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184615 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 詹勝雄 | 沈偉 | 莊福明 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 193369 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 李文宗 | 張淵仁 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 193378 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林晃巖 | 黎邦 | 田萬頂 |
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,727,866 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 王迺岳 | 李獻仁 | 蔡朝旭 |
| 核准國家: 日本 | 證書號碼: 3602746 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳敏德 | 邱琬雯 | 潘旭斌 | 徐弘光 | 陳俊民 | 楊志軒 | 劉雅君 |
| 核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL99122876.6 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 梁瑞麟 | 張裕修 |
| 核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL99127404.0 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 魏立鼎 | 張吉龍 |
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,686,761 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 潘彥光 | 黃介一 | 郭利德 | 王世杰 |
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,728,189 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃偉煜 |
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,728,190 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃振源 | 張啟伸 |
| 核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL01131491.5 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃晉興 | 徐弘光 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 191977 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張朝信 | 郭利德 | 馬榮昌 | 陳志強 | 張裕修 |
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,703,736 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 王建昌 | 王世杰 | 徐弘光 | 張裕修 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I223691 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 施文章 | 黃晉興 | 張裕修 | 徐弘光 |
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,769,808 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 施文章 | 黃晉興 | 張裕修 | 徐弘光 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 184615 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 詹勝雄 | 沈偉 | 莊福明 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 193369 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 李文宗 | 張淵仁 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 193378 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 林晃巖 | 黎邦 | 田萬頂 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,727,866 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 王迺岳 | 李獻仁 | 蔡朝旭 |
核准國家: 日本 | 證書號碼: 3602746 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 吳敏德 | 邱琬雯 | 潘旭斌 | 徐弘光 | 陳俊民 | 楊志軒 | 劉雅君 |
核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL99122876.6 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 梁瑞麟 | 張裕修 |
核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL99127404.0 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 魏立鼎 | 張吉龍 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,686,761 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 潘彥光 | 黃介一 | 郭利德 | 王世杰 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,728,189 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃偉煜 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,728,190 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃振源 | 張啟伸 |
核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL01131491.5 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 黃晉興 | 徐弘光 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 191977 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 張朝信 | 郭利德 | 馬榮昌 | 陳志強 | 張裕修 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,703,736 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 王建昌 | 王世杰 | 徐弘光 | 張裕修 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I223691 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 施文章 | 黃晉興 | 張裕修 | 徐弘光 |
核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,769,808 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 專利發明人: 施文章 | 黃晉興 | 張裕修 | 徐弘光 |
|