晶片堆疊結構
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專利名稱-中文晶片堆疊結構的核准國家是中國大陸, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是101, 專利性質是發明, 計畫名稱是3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫, 專利發明人是譚瑞敏,張恕銘,廖錫卿,駱韋仲,李榮賢,張緝熙,, 證書號碼是ZL200810149914.9.

序號	10048
產出年度	101
領域別	電資通光
專利名稱-中文	晶片堆疊結構
執行單位	工研院電光所
產出單位	工研院電光所
計畫名稱	3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫
專利發明人	譚瑞敏,張恕銘,廖錫卿,駱韋仲,李榮賢,張緝熙,
核准國家	中國大陸
獲證日期	101/09/19
證書號碼	ZL200810149914.9
專利期間起	101/08/29
專利期間訖	117/10/14
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明係提供一種具有氣密結構之晶圓堆疊，該晶圓堆疊係包含一第一晶圓，該第一晶圓具有一第一裝置層與一第一基板，其中該第一裝置層具有至少一晶片及至少一低介電材料層；一第二晶圓，設置在該第一晶圓之上，其具有一第二裝置層；以及一封閉結構，其係設置於該至少一晶片上且設置於該至少一晶片的切割道之內側，其中該封閉結構係從該第一裝置層遠離該第一基板的一側延伸至其的靠近該第一基板之另一側。
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	陳奕潔
電話	(03)5914675
傳真	(03)5917193
電子信箱	miranda@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)
同步更新日期	2019-07-24

序號

10048

產出年度

101

領域別

電資通光

專利名稱-中文

晶片堆疊結構

執行單位

工研院電光所

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫

專利發明人

譚瑞敏,張恕銘,廖錫卿,駱韋仲,李榮賢,張緝熙,

核准國家

中國大陸

獲證日期

101/09/19

證書號碼

ZL200810149914.9

專利期間起

101/08/29

專利期間訖

117/10/14

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明係提供一種具有氣密結構之晶圓堆疊，該晶圓堆疊係包含一第一晶圓，該第一晶圓具有一第一裝置層與一第一基板，其中該第一裝置層具有至少一晶片及至少一低介電材料層；一第二晶圓，設置在該第一晶圓之上，其具有一第二裝置層；以及一封閉結構，其係設置於該至少一晶片上且設置於該至少一晶片的切割道之內側，其中該封閉結構係從該第一裝置層遠離該第一基板的一側延伸至其的靠近該第一基板之另一側。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

陳奕潔

電話

(03)5914675

傳真

(03)5917193

電子信箱

miranda@itri.org.tw

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特殊情形

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熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 呂芳俊, 游善溥, 陳守龍, 林志榮, 李榮賢, 范榮昌 \| 證書號碼: 220305 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
晶片堆疊結構及其製作方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光系統所 \| 產出年度: 105 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 \| 專利發明人: 陸蘇財 ,莊敬業 \| 證書號碼: 9,184,153 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
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熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構

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測量裝置	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 102 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: 譚瑞敏 ,戴明吉 ,許世玄 ,林志昇 ,吳仕先 \| 證書號碼: 8,507,909 @ 經濟部產業技術司–專利資料集
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研磨機進料結構	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院環安中心 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 新型 \| 計畫名稱: 工研院永續發展領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳珠修、楊奉儒、李明晃 \| 證書號碼: 211613
液晶顯示器反射表面的製造方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 韋忠光 \| 證書號碼: 195728
以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 李傳英, 黃尊禧 \| 證書號碼: 6713377
以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 專利發明人: 李傳英, 黃尊禧 \| 證書號碼: 6660625
消除光阻中近接效應之方法	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 高蔡勝, 戴昌銘 \| 證書號碼: 183704
製造反射型液晶顯示面板之方法及所製之裝置	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 丁岱良 \| 證書號碼: 185243
具凸起結構之多域配向液晶顯示器	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉鴻達 \| 證書號碼: 188081
具凸起結構之多域配向液晶顯示器	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 劉鴻達 \| 證書號碼: 6747727
正向修補型之薄膜電晶體液晶顯示裝置以及正向修補方法	核准國家: 美國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃庭輝 \| 證書號碼: 6714269
低漏光及低訊號線阻值之IPS-TFT 陣列設計	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 張世昌, 陳志宏, 劉秉德 \| 證書號碼: 185400

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