專利名稱-中文一種面型蒸鍍源及其蒸鍍方法與系統的核准國家是中華民國, 證書號碼是I452157, 專利期間起是119/11/25, 專利期間訖是一種薄膜平面型連續式蒸鍍源及製造方法與系統,將至少一種蒸鍍材料披覆於一基板之其中一面作為蒸鍍源(evaporation source),該蒸鍍材料分佈之區域係為該蒸鍍材料汽化後可涵蓋該欲蒸鍍基材之區域內,以一加熱裝置裝設於可加熱蒸鍍源基板之區域內,藉由該加熱器對該蒸鍍源提供熱源,將蒸鍍源由固態轉化為..., 專利性質是發明, 執行單位是工研院院本部, 產出年度是103, 計畫名稱是工研院創新前瞻技術研究計畫, 專利發明人是陳建志 ,王慶鈞 ,吳慶輝 ,董福慶.
序號 | 13477 |
產出年度 | 103 |
領域別 | 服務創新 |
專利名稱-中文 | 一種面型蒸鍍源及其蒸鍍方法與系統 |
執行單位 | 工研院院本部 |
產出單位 | 工研院機械所 |
計畫名稱 | 工研院創新前瞻技術研究計畫 |
專利發明人 | 陳建志 | 王慶鈞 | 吳慶輝 | 董福慶 |
核准國家 | 中華民國 |
獲證日期 | 103/09/11 |
證書號碼 | I452157 |
專利期間起 | 119/11/25 |
專利期間訖 | 一種薄膜平面型連續式蒸鍍源及製造方法與系統,將至少一種蒸鍍材料披覆於一基板之其中一面作為蒸鍍源(evaporation source),該蒸鍍材料分佈之區域係為該蒸鍍材料汽化後可涵蓋該欲蒸鍍基材之區域內,以一加熱裝置裝設於可加熱蒸鍍源基板之區域內,藉由該加熱器對該蒸鍍源提供熱源,將蒸鍍源由固態轉化為氣態,擴散到欲蒸鍍基材表面,藉由原子或分子的層次控制蒸汽之手段在表面成核、凝結及成長使其形成膜,可以得到以傳統塗佈及噴墨技術所無法得到之具均勻性、奈米尺度調控特性等具有特殊構造及功能的薄膜。 |
專利性質 | 發明 |
技術摘要-中文 | 一種薄膜平面型連續式蒸鍍源及製造方法與系統,將至少一種蒸鍍材料披覆於一基板之其中一面作為蒸鍍源(evaporation source),該蒸鍍材料分佈之區域係為該蒸鍍材料汽化後可涵蓋該欲蒸鍍基材之區域內,以一加熱裝置裝設於可加熱蒸鍍源基板之區域內,藉由該加熱器對該蒸鍍源提供熱源,將蒸鍍源由固態轉化為氣態,擴散到欲蒸鍍基材表面,藉由原子或分子的層次控制蒸汽之手段在表面成核、凝結及成長使其形成膜,可以得到以傳統塗佈及噴墨技術所無法得到之具均勻性、奈米尺度調控特性等具有特殊構造及功能的薄膜。 |
技術摘要-英文 | (空) |
聯絡人員 | 李露蘋 |
電話 | 03-5918064 |
傳真 | 03-5917683 |
電子信箱 | noralp@itri.org.tw |
參考網址 | (空) |
備註 | (空) |
特殊情形 | (空) |
序號13477 |
產出年度103 |
領域別服務創新 |
專利名稱-中文一種面型蒸鍍源及其蒸鍍方法與系統 |
執行單位工研院院本部 |
產出單位工研院機械所 |
計畫名稱工研院創新前瞻技術研究計畫 |
專利發明人陳建志 | 王慶鈞 | 吳慶輝 | 董福慶 |
核准國家中華民國 |
獲證日期103/09/11 |
證書號碼I452157 |
專利期間起119/11/25 |
專利期間訖一種薄膜平面型連續式蒸鍍源及製造方法與系統,將至少一種蒸鍍材料披覆於一基板之其中一面作為蒸鍍源(evaporation source),該蒸鍍材料分佈之區域係為該蒸鍍材料汽化後可涵蓋該欲蒸鍍基材之區域內,以一加熱裝置裝設於可加熱蒸鍍源基板之區域內,藉由該加熱器對該蒸鍍源提供熱源,將蒸鍍源由固態轉化為氣態,擴散到欲蒸鍍基材表面,藉由原子或分子的層次控制蒸汽之手段在表面成核、凝結及成長使其形成膜,可以得到以傳統塗佈及噴墨技術所無法得到之具均勻性、奈米尺度調控特性等具有特殊構造及功能的薄膜。 |
專利性質發明 |
技術摘要-中文一種薄膜平面型連續式蒸鍍源及製造方法與系統,將至少一種蒸鍍材料披覆於一基板之其中一面作為蒸鍍源(evaporation source),該蒸鍍材料分佈之區域係為該蒸鍍材料汽化後可涵蓋該欲蒸鍍基材之區域內,以一加熱裝置裝設於可加熱蒸鍍源基板之區域內,藉由該加熱器對該蒸鍍源提供熱源,將蒸鍍源由固態轉化為氣態,擴散到欲蒸鍍基材表面,藉由原子或分子的層次控制蒸汽之手段在表面成核、凝結及成長使其形成膜,可以得到以傳統塗佈及噴墨技術所無法得到之具均勻性、奈米尺度調控特性等具有特殊構造及功能的薄膜。 |
技術摘要-英文(空) |
聯絡人員李露蘋 |
電話03-5918064 |
傳真03-5917683 |
電子信箱noralp@itri.org.tw |
參考網址(空) |
備註(空) |
特殊情形(空) |
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| 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: | 技術規格: 可鍍膜材料:有機薄膜 基板溫度: | 潛力預估: 此技術可發展成鉅量產等級之技術及設備 @ 技術司可移轉技術資料集 |
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| 核准國家: 日本 | 證書號碼: 5496929 | 專利期間起: 120/02/08 | 專利期間訖: 一種薄膜平面型連續式蒸鍍源及製造方法與系統,將至少一種蒸鍍材料披覆於一基板之其中一面作為蒸鍍源(evaporation source),該蒸鍍材料分佈之區域係為該蒸鍍材料汽化後可涵蓋該欲蒸鍍基材之區域... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳建志 | 王慶鈞 | 吳慶輝 | 董福慶 @ 技術司專利資料集 |
| 核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL201010597858.2 | 專利期間起: 104/06/10 | 專利期間訖: 119/12/20 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳建志 | 王慶鈞 | 吳慶輝 | 董福慶 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 日本 | 證書號碼: 5496929 | 專利期間起: 120/02/08 | 專利期間訖: 一種薄膜平面型連續式蒸鍍源及製造方法與系統,將至少一種蒸鍍材料披覆於一基板之其中一面作為蒸鍍源(evaporation source),該蒸鍍材料分佈之區域係為該蒸鍍材料汽化後可涵蓋該欲蒸鍍基材之區域... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳建志 | 王慶鈞 | 吳慶輝 | 董福慶 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL201010597858.2 | 專利期間起: 104/06/10 | 專利期間訖: 119/12/20 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳建志 | 王慶鈞 | 吳慶輝 | 董福慶 @ 技術司專利資料集 |
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核准國家: 美國 | 證書號碼: 8665098 | 專利期間起: 119/09/19 | 專利期間訖: 一種非接觸式擾動感測裝置包括:至少一接收天線,用以接收一第一無線射頻信號;至少一發射天線,用以發射一第二無線射頻信號至一待測對象,該待測對象反射該第二無線射頻信號成為該第一無線射頻信號;一壓控振盪器,... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 趙哲寬 | 吳秉勳 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I432062 | 專利期間起: 118/11/12 | 專利期間訖: 一種組播廣播服務區域裡可靠同步裝置,此組播廣播服務區域之m個同步執行器分屬n個重傳區,每一重傳區中,選出一領導同步執行器,其餘是組員同步執行器。此裝置包含一同步控制器及此n個選出的領導同步執行器,當同... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 郭維翰 | 劉家隆 | 王瑞堂 | 楊人順 @ 技術司專利資料集 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I432040 | 專利期間起: 120/05/16 | 專利期間訖: 本揭露提供一種認證方法、金鑰分配方法以及認證與金鑰分配方法。所述方法適用於機器對機器通信,且包括以下步驟。至少一行動台傳送包括至少一第一安全認證資料的應用程式要求至一網路應用實體,而此第一安全認證資料... | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 王瑞堂 | 黃貴笠 | Shubhranshu Singh | 葛達 | 楊人順 @ 技術司專利資料集 |
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| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 185401 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 吳逸蔚 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 195740 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李正中 | 簡瑞峰 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 185419 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 劉鴻達 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 188117 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 | 專利發明人: 姚南光 | 翁國曜 |
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 6743636 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 鍾震桂 | 張為傑 | 蕭价伶 | 翁國曜 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 201949 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 | 專利發明人: 洪隆裕 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 201207 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 | 專利發明人: 韋雅各 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 193977 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王博文 | 陳尚立 |
| 核准國家: 美國 | 證書號碼: 6589849 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 李傳英 |
| 核准國家: 奧地利 | 證書號碼: 412043 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 周維揚 | 馬慶輝 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 195737 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳尚立 | 易建宇 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 193993 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 劉鴻達 | 陳慶逸 | 陳績檍 |
| 核准國家: 日本 | 證書號碼: 3553864 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 巫吉原 |
| 核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190439 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 巫吉原 |
| 核准國家: 日本 | 證書號碼: 3500353 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王博文 | 施俊任 | 陳尚立 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 185401 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 吳逸蔚 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 195740 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 李正中 | 簡瑞峰 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 185419 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 劉鴻達 |
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核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 201949 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 微小化生醫診療工程技術四年計畫 | 專利發明人: 洪隆裕 |
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核准國家: 奧地利 | 證書號碼: 412043 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 專利發明人: 周維揚 | 馬慶輝 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 195737 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 陳尚立 | 易建宇 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 193993 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 劉鴻達 | 陳慶逸 | 陳績檍 |
核准國家: 日本 | 證書號碼: 3553864 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 巫吉原 |
核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 190439 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 巫吉原 |
核准國家: 日本 | 證書號碼: 3500353 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 王博文 | 施俊任 | 陳尚立 |
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