氧化物薄膜的圖案化制程
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專利名稱-中文氧化物薄膜的圖案化制程的核准國家是中國大陸, 證書號碼是ZL201210413839.9, 專利期間起是105/03/23, 專利期間訖是121/10/24, 專利性質是發明, 執行單位是工研院材化所, 產出年度是105, 計畫名稱是ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫, 專利發明人是林晉慶 ,陳俞君 ,王恩光 ,江美靜 ,陳怡真.

序號17332
產出年度105
領域別綠能科技
專利名稱-中文氧化物薄膜的圖案化制程
執行單位工研院材化所
產出單位工研院材化所
計畫名稱ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫
專利發明人林晉慶 | 陳俞君 | 王恩光 | 江美靜 | 陳怡真
核准國家中國大陸
獲證日期105/06/07
證書號碼ZL201210413839.9
專利期間起105/03/23
專利期間訖121/10/24
專利性質發明
技術摘要-中文本發明提供一種氧化物薄膜的圖案化製程,包括:將一阻擋層組合物覆蓋在一基材上以形成一圖案化的阻擋層,其中阻擋層組合物包含一無機成分以及一有機黏著劑;無機成分與該有機黏著劑的重量比為50-98:2-50;將一氧化物薄膜形成於圖案化的阻擋層及基材上,其中阻擋層的厚度(D1)與氧化物薄膜的厚度(D2)比(D1/D2)範圍介於5~2000;以及,剝除(lifting-off)阻擋層及阻擋層上的氧化物薄膜,留下基材上的氧化物薄膜。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員李露蘋
電話03-5917812
傳真03-5917431
電子信箱noralp@itri.org.tw
參考網址(空)
備註(空)
特殊情形(空)

序號

17332

產出年度

105

領域別

綠能科技

專利名稱-中文

氧化物薄膜的圖案化制程

執行單位

工研院材化所

產出單位

工研院材化所

計畫名稱

ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫

專利發明人

林晉慶 | 陳俞君 | 王恩光 | 江美靜 | 陳怡真

核准國家

中國大陸

獲證日期

105/06/07

證書號碼

ZL201210413839.9

專利期間起

105/03/23

專利期間訖

121/10/24

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明提供一種氧化物薄膜的圖案化製程,包括:將一阻擋層組合物覆蓋在一基材上以形成一圖案化的阻擋層,其中阻擋層組合物包含一無機成分以及一有機黏著劑;無機成分與該有機黏著劑的重量比為50-98:2-50;將一氧化物薄膜形成於圖案化的阻擋層及基材上,其中阻擋層的厚度(D1)與氧化物薄膜的厚度(D2)比(D1/D2)範圍介於5~2000;以及,剝除(lifting-off)阻擋層及阻擋層上的氧化物薄膜,留下基材上的氧化物薄膜。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

李露蘋

電話

03-5917812

傳真

03-5917431

電子信箱

noralp@itri.org.tw

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氧化物薄膜的圖案化製程

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,906,247 | 專利期間起: 103/12/09 | 專利期間訖: 122/07/14 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 林晉慶 | 陳俞君 | 王恩光 | 江美靜 | 陳怡真

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氧化物薄膜的圖案化製程

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8906247 | 專利期間起: 103/12/09 | 專利期間訖: 122/07/14 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 林晉慶 | 陳俞君 | 王恩光 | 江美靜 | 陳怡真

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氧化物薄膜的圖案化製程

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I523073 | 專利期間起: 105/02/21 | 專利期間訖: 121/07/30 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 林晉慶 | 陳俞君 | 王恩光 | 江美靜 | 陳怡真

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氧化物薄膜的圖案化製程

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,906,247 | 專利期間起: 103/12/09 | 專利期間訖: 122/07/14 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 林晉慶 | 陳俞君 | 王恩光 | 江美靜 | 陳怡真

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氧化物薄膜的圖案化製程

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8906247 | 專利期間起: 103/12/09 | 專利期間訖: 122/07/14 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 林晉慶 | 陳俞君 | 王恩光 | 江美靜 | 陳怡真

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氧化物薄膜的圖案化製程

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I523073 | 專利期間起: 105/02/21 | 專利期間訖: 121/07/30 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 105 | 計畫名稱: ICT應用關鍵材料及元件技術開發計畫 | 專利發明人: 林晉慶 | 陳俞君 | 王恩光 | 江美靜 | 陳怡真

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揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200810211084.8 | 專利期間起: 102/01/23 | 專利期間訖: 117/08/19 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陳明道 | 劉昌和

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晶圓級模封接合結構及其製造方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,384,215 | 專利期間起: 102/02/26 | 專利期間訖: 120/06/30 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 陸蘇財 | 莊敬業 | 林育民

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感測裝置及其掃描驅動方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,416,213 | 專利期間起: 102/04/09 | 專利期間訖: 120/03/17 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 沈煜棠 | 葉紹興

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揚聲器單體結構

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200710184913.3 | 專利期間起: 102/03/20 | 專利期間訖: 116/10/28 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 | 陳明道

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平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200910202828.4 | 專利期間起: 102/04/03 | 專利期間訖: 118/05/25 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 | 陳明道

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平面揚聲器單體與揚聲器裝置

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,391,520 | 專利期間起: 102/03/05 | 專利期間訖: 120/12/15 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 劉昌和 | 陳明道

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照明裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I402456 | 專利期間起: 102/07/21 | 專利期間訖: 119/03/16 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃承揚 | 許詔開

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Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same

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照明裝置

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I402456 | 專利期間起: 102/07/21 | 專利期間訖: 119/03/16 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 102 | 計畫名稱: 軟性電子模組與應用技術發展計畫 | 專利發明人: 黃承揚 | 許詔開

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Amphiphilic block copolymers and nanoparticles comprising the same

核准國家: 美國 | 證書號碼: 8,940,333 | 專利期間起: 104/01/27 | 專利期間訖: 116/05/11 | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院生醫所 | 產出年度: 104 | 計畫名稱: 智慧標靶藥物傳輸技術及應用開發計畫 | 專利發明人: 謝明發 | 張學曾 | 陳進富 | 張原嘉 | 甘霈 | 林才祐

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一種磊晶基極的雙極性電晶體製程

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6589849 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 專利發明人: 李傳英

一種清洗晶背的方法

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具內凹型表面結構的多域分割液晶顯示器的結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 193993 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 劉鴻達 | 陳慶逸 | 陳績檍

液晶顯示面板點燈測試的方法及其結構

核准國家: 日本 | 證書號碼: 3553864 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 專利發明人: 巫吉原

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