可攜式3D掃描器
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技術名稱-中文可攜式3D掃描器的執行單位是工研院光電所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院通訊與光電領域環境建構計畫, 技術規格是‧量測面積：200mm×200mm~300mm×300mm。 ‧量測精度：±0.1mm。 ‧掃描速度：60lines/sec。, 潛力預估是從傳統工業應用到最熱門之3D遊戲、動畫、製作，可攜式3D掃描器應用範圍廣泛，是目前彩色3D量測中最具精確度的系統。尤其多台組合後，可以同步控制作特殊的量測用途。.

序號	49
產出年度	93
技術名稱-中文	可攜式3D掃描器
執行單位	工研院光電所
產出單位	(空)
計畫名稱	工研院通訊與光電領域環境建構計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	此技術設計原理是利用雷射光投射於物體上，取得CCD上反射影像，經由三維座標計算，可快速量測物體表面的3D形狀，掃描測頭可以手握或置於三腳架，如同拍照的方式，從不同角度方位對物體不同部份掃描，最後由軟體對位整合成一筆完整的3D外形與色彩資料。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	‧量測面積：200mm×200mm~300mm×300mm。 ‧量測精度：±0.1mm。 ‧掃描速度：60lines/sec。
技術成熟度	在可攜式3D掃描器領域內，本技術量測精度已具國際水準，並且已經廣泛應用於國內數位內容製作業及美容整形業。
可應用範圍	醫療、3D電玩製作、3D動畫、工業設計、3D網站
潛力預估	從傳統工業應用到最熱門之3D遊戲、動畫、製作，可攜式3D掃描器應用範圍廣泛，是目前彩色3D量測中最具精確度的系統。尤其多台組合後，可以同步控制作特殊的量測用途。
聯絡人員	梁振韻
電話	03-5918316
傳真	03-5833190
電子信箱	easter_liang@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	具有光學系統及相關機構開發生產經驗之廠商。
需具備之專業人才	具3D量測經驗。

序號

產出年度

技術名稱-中文

可攜式3D掃描器

執行單位

工研院光電所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院通訊與光電領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

此技術設計原理是利用雷射光投射於物體上，取得CCD上反射影像，經由三維座標計算，可快速量測物體表面的3D形狀，掃描測頭可以手握或置於三腳架，如同拍照的方式，從不同角度方位對物體不同部份掃描，最後由軟體對位整合成一筆完整的3D外形與色彩資料。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

‧量測面積：200mm×200mm~300mm×300mm。 ‧量測精度：±0.1mm。 ‧掃描速度：60lines/sec。

技術成熟度

在可攜式3D掃描器領域內，本技術量測精度已具國際水準，並且已經廣泛應用於國內數位內容製作業及美容整形業。

可應用範圍

醫療、3D電玩製作、3D動畫、工業設計、3D網站

潛力預估

從傳統工業應用到最熱門之3D遊戲、動畫、製作，可攜式3D掃描器應用範圍廣泛，是目前彩色3D量測中最具精確度的系統。尤其多台組合後，可以同步控制作特殊的量測用途。

聯絡人員

梁振韻

電話

03-5918316

傳真

03-5833190

電子信箱

easter_liang@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

具有光學系統及相關機構開發生產經驗之廠商。

需具備之專業人才

具3D量測經驗。

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數位彩色視訊影像品質評量技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧ Gamma量測 ‧ 色域量測 ‧ 色彩精準度量測 (Eab) ‧ 畫面均勻度量測 ‧ 雜訊量測 (靜態影像及動態視訊) ‧ Flare特性量測 ‧ 自動曝光(AE)反應時間及精準度量測 ‧ 自動... \| 潛力預估: 由於可應用範圍涵括各種數位影像輸入產品，因此技術之潛在利用機率極高。 @ 技術司可移轉技術資料集
CCD/CMOS數位影像處理器	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧8 bit Ye, Cy, Mg and G complementary color mosaic input. ‧Digital output(CCIR601 format). ‧Serial i... \| 潛力預估: 由於可應用範圍涵括各種數位影像輸入產品，總產品市場量預估可達到每年一億套以上，因此技術之潛在利用機率極高。 @ 技術司可移轉技術資料集
控制光學變焦之自動對焦／自動光圈調整技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧螺桿式光學變焦鏡頭。 ‧步進馬達控制。 ‧直流馬達控制。 ‧數位影像處理。 \| 潛力預估: 由於可應用範圍涵括各種數位影像輸入產品，總產品市場量預估可達到每年一億套以上，因此技術之潛在利用機率極高。 @ 技術司可移轉技術資料集
MPEG-2錄放影系統	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧Embedded System Architecture －32-Bit x86 SoC. －Embedded Linux OS. －Internet accessing. ‧Video Signa... \| 潛力預估: 根據Frost&Sullivan一份最新的預估顯示，未來安全監控產業每年的平均成長率至少可達12～15％左右。 @ 技術司可移轉技術資料集
人體／人臉掃描量測	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧掃描範圍：高：1900mm，寬：1000mm，深度：850mm。 ‧掃描速度：8秒完成全身掃描。 ‧ 解析度：4mm(垂直)，1mm（深度）。 ‧ 樑測精度：1mm。 \| 潛力預估: 此技術可以廣泛應用在醫療、美容及服飾相關領域，作為其服務的前端輸入及後端驗證，並可藉此技術建立所需之資料庫，供更多領域應用。目前已經可以作小型輕量化的產品設計，更適合ㄧ般門市商店的科技服務應用。 @ 技術司可移轉技術資料集
3D照相機	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: *‧ 量測面積：360mm 240mm ‧ 量測精度：±0.15mm ‧ 量測解析度：1.2mm ‧ 取像速度：0.2 sec/frame** \| 潛力預估: 由於價格極具競爭力，可成為製作客製化商品之廠商（例如雷射內雕、人像雕刻等）之快速建模工具，降低廠商成本負擔。另外可運用於數位典藏，輔助建構擬真模型，可用於虛擬博物館中典藏品展示。 @ 技術司可移轉技術資料集
3D模型建構技術	執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: ‧視窗操作介面：平移、放大、縮小及任意視角顯示。 ‧3D資料編輯工具：如資料平滑化、雜訊濾除、破洞填補、細分割、特徵強化等 ‧資料壓縮與重整。 ‧3D資料疊合與整合。 ‧材質整合與編輯：色彩整合、調整... \| 潛力預估: 相較於ㄧ般價格昂貴的3D點群處理套裝軟體，TriD提供物超所值的功能，例如可擴充的特徵線處理功能，絕非大型套裝軟體所及，更可針對各產業的需求發展出特有功能，不失為小而美的CAD精品。 @ 技術司可移轉技術資料集
適用於校正雷射三次元量測器之方法及裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 191497 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院光電所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 羅文秀 \| 林明慧 @ 技術司專利資料集

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厚膜光阻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 \| 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。
利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 \| 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。
低應力薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: SIN Film Stress \| 潛力預估: 穩定可量產
矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本
微氣體感測器	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 \| 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器
矽晶片蝕穿技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_；蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30 \| 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。
矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/min \| 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ；薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。
無鉛製程技術資訊平台建立	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明：無鉛定義(未刻意添加下，材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%，鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... \| 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量，衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品，諸如伺服器與工作站、桌上型電腦，筆記型電腦、主機板、消...
基板內藏元件整合設計與模型庫技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工作頻段：2.4GHz；新材料(εr≧38 \| 潛力預估: 基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等
射頻內藏被動元件之模型程式庫技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specificati... \| 潛力預估: 基板內藏被動元件，可以取代傳統SMD元件，市場上具有龐大的商業潛力，依據市場知名市調公司PRISMARK預估，西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上，商機需求逐年擴增；且係通訊產品高...
3D基板式堆疊構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_；一步成型式導通孔技術 \| 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展，除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小，提升電子產品縮小化的效率外，更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中，而以最有效益的方式，達到System in Packa...
迴路型熱管散熱技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域：45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小)；傳輸距離30 cm \| 潛力預估: 以真空硬銲方式接合，外觀與強度符合所需，蒸發端與冷凝端均為平面構造，易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步
無鉛製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 \| 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量，衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品，諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...
增益型晶圓級晶方尺度構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: *Die size:1010mm；Pitch: 0.8mm, 1.0mm；Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_；Wafer size: 6" or...** \| 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，。其結構設計，第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝，第二層之應...