顯示器塑膠基材高硬度薄膜處理技術
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文顯示器塑膠基材高硬度薄膜處理技術的執行單位是工研院化工所, 產出年度是94, 計畫名稱是高分子奈米材料與光電應用四年計畫, 技術規格是光學薄膜其表面硬度≧3H‧ 穿透度≧90%。 接著強度符合JIS K5400, 潛力預估是顯示器用塑膠基材所需之光學塗裝其相關研究成果與專利於1980陸續被提出,且其全球市場產值預估於2005達到36億元新台幣,且預計至2008年市場產值將達到100億元新台幣。.

序號943
產出年度94
技術名稱-中文顯示器塑膠基材高硬度薄膜處理技術
執行單位工研院化工所
產出單位(空)
計畫名稱高分子奈米材料與光電應用四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文開發一種具有奈米微結構的有機/無機混層材料配方技術,搭配光學設計後可衍生出高硬度之光學塗裝,其相關技術規格如上欄所述,UCL高硬度薄膜塗裝(UCL Hard-Coating)的特色在於結構簡單,製程便利並同時兼具低成本之優勢。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格光學薄膜其表面硬度≧3H‧ 穿透度≧90%。 接著強度符合JIS K5400
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍桌上型或壁掛型平面顯示器:如LCD monitor、LCD TV、PDP TV、筆記型電腦等。手持式行動設備:個人數位助理(PDA)、行動電話、全球定位衛星導航(GPS)等。
潛力預估顯示器用塑膠基材所需之光學塗裝其相關研究成果與專利於1980陸續被提出,且其全球市場產值預估於2005達到36億元新台幣,且預計至2008年市場產值將達到100億元新台幣。
聯絡人員王武敬
電話03-5732796
傳真03-5732796
電子信箱macro_wang@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw/
所須軟硬體設備感光性塗料配方開發設備;濕式塗佈製程設備
需具備之專業人才化學/化工/材料背景之專業從業人員,具備感光性塗料配方開發能力;濕式塗佈製程經驗

序號

943

產出年度

94

技術名稱-中文

顯示器塑膠基材高硬度薄膜處理技術

執行單位

工研院化工所

產出單位

(空)

計畫名稱

高分子奈米材料與光電應用四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

開發一種具有奈米微結構的有機/無機混層材料配方技術,搭配光學設計後可衍生出高硬度之光學塗裝,其相關技術規格如上欄所述,UCL高硬度薄膜塗裝(UCL Hard-Coating)的特色在於結構簡單,製程便利並同時兼具低成本之優勢。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

光學薄膜其表面硬度≧3H‧ 穿透度≧90%。 接著強度符合JIS K5400

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

桌上型或壁掛型平面顯示器:如LCD monitor、LCD TV、PDP TV、筆記型電腦等。手持式行動設備:個人數位助理(PDA)、行動電話、全球定位衛星導航(GPS)等。

潛力預估

顯示器用塑膠基材所需之光學塗裝其相關研究成果與專利於1980陸續被提出,且其全球市場產值預估於2005達到36億元新台幣,且預計至2008年市場產值將達到100億元新台幣。

聯絡人員

王武敬

電話

03-5732796

傳真

03-5732796

電子信箱

macro_wang@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw/

所須軟硬體設備

感光性塗料配方開發設備;濕式塗佈製程設備

需具備之專業人才

化學/化工/材料背景之專業從業人員,具備感光性塗料配方開發能力;濕式塗佈製程經驗

根據名稱 顯示器塑膠基材高硬度薄膜處理技術 找到的相關資料

無其他 顯示器塑膠基材高硬度薄膜處理技術 資料。

[ 搜尋所有 顯示器塑膠基材高硬度薄膜處理技術 ... ]

根據電話 03-5732796 找到的相關資料

(以下顯示 2 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5732796 ...)

高初期強度濕氣硬化PUR合成技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米傳產高值產業化技術開發計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 合成高流動性PUR樹脂,控制分子相區分佈、流變參數,並且利用噴塗設備驗證鞋材可接著性。 | 潛力預估: 建立可噴塗高強度PUR樹脂設計與製備技術能量,協助業者改善熱熔加工性及初期接著強度,達到降低製造成本、快速加工生產之目的。

@ 技術司可移轉技術資料集

結晶結構PUR樹脂製備技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米傳產高值產業化技術開發計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 此技術在高溫時有良好的加工黏度,在常溫時能快速展現優異接著強度。其結構設計可持續與反應,在末期可達到更高的機械強度。 | 潛力預估: 此技術能透過自動化製程加速產量及提升產能。此外,無溶劑接著劑是國際環保重要指標。

@ 技術司可移轉技術資料集

高初期強度濕氣硬化PUR合成技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米傳產高值產業化技術開發計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 合成高流動性PUR樹脂,控制分子相區分佈、流變參數,並且利用噴塗設備驗證鞋材可接著性。 | 潛力預估: 建立可噴塗高強度PUR樹脂設計與製備技術能量,協助業者改善熱熔加工性及初期接著強度,達到降低製造成本、快速加工生產之目的。

@ 技術司可移轉技術資料集

結晶結構PUR樹脂製備技術

執行單位: 工研院材化所 | 產出年度: 105 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米傳產高值產業化技術開發計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 此技術在高溫時有良好的加工黏度,在常溫時能快速展現優異接著強度。其結構設計可持續與反應,在末期可達到更高的機械強度。 | 潛力預估: 此技術能透過自動化製程加速產量及提升產能。此外,無溶劑接著劑是國際環保重要指標。

@ 技術司可移轉技術資料集

[ 搜尋所有 03-5732796 ... ]

在『技術司可移轉技術資料集』資料集內搜尋:


與顯示器塑膠基材高硬度薄膜處理技術同分類的技術司可移轉技術資料集

原子力顯微探針

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam:width 50μm Cantilever beam:length 450μm Can... | 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高

平面光波導製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Thickness U% | 潛力預估: 各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1*N splitter AWG module,未來發展潛力高

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: MEMS製程規格不易統一,潛力低

毛細管電泳晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... | 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序,在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後,微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例,2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...

單石微陣列噴墨晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計,可提升噴液頻率 | 潛力預估: 針對噴墨頭產業,此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利

散熱模組熱阻快速量測系統

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 | 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法,本技術是現今唯一可於3~5分鐘內,精確量測出散熱模組熱性能之方法,並已申請專利。

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出,估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%,台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%,若我們依美國市場推估,則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...

光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver .850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) .2.5Gbps資料傳輸能力.100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) .150... | 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用,2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術,也是市場的主流。據IEK的資料顯示,預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...

超臨界點抗黏著乾燥技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸:1. maximum. Length | 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE):>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢,將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

原子力顯微探針

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam:width 50μm Cantilever beam:length 450μm Can... | 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高

平面光波導製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Thickness U% | 潛力預估: 各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1*N splitter AWG module,未來發展潛力高

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: MEMS製程規格不易統一,潛力低

毛細管電泳晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... | 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序,在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後,微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例,2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...

單石微陣列噴墨晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計,可提升噴液頻率 | 潛力預估: 針對噴墨頭產業,此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利

散熱模組熱阻快速量測系統

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 量測時間在3~5分鐘左右。 2. 量測誤差小2~4%。 3. 一次可同時量測12組 | 潛力預估: 目前市場並無標準之散熱模組熱性能檢測方法,本技術是現今唯一可於3~5分鐘內,精確量測出散熱模組熱性能之方法,並已申請專利。

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台 Antenna Factor: 10dB Reader: USB/RS-232/LCD Interface RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz ... | 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出,估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%,台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%,若我們依美國市場推估,則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3...

光收發模組構裝技術(1× 2.5G, 4× 2.5G)

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1) 2.5Gbps SFF Transceiver .850 nm 波長垂直共振腔面射雷射(VCSEL) .2.5Gbps資料傳輸能力.100公尺傳輸距離(62.5/125um多模光纖) .150... | 潛力預估: 對於來勢凶凶的光纖到家(FTTH)市場運用,2.5G SFE Transceiver模組技術正是其所要依賴的技術,也是市場的主流。據IEK的資料顯示,預計2004年全球在FTTH的市場約在520佰萬...

超臨界點抗黏著乾燥技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 元件尺寸:1. maximum. Length | 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress | 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等

MRAM 元件製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發,可使用於系統記憶體,具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current | 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品,是繼Flash、DRAM、SRAM之後,最令人注目的新記憶體,成長空間極大。

用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE):>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P):< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... | 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢,將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。

相變化薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 | 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品,可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。

高介電值閘極介電物技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 高介電常數:k>20,等效厚度小於1.4奈米,漏電流小於氧化矽3個數量級 | 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術

 |