微氣體感測器
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文微氣體感測器的執行單位是工研院電子所, 產出年度是94, 計畫名稱是微奈米系統應用技術四年計畫, 技術規格是規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、, 潛力預估是應用微機電製程製作氣體感測器.

序號	992
產出年度	94
技術名稱-中文	微氣體感測器
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	微奈米系統應用技術四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	技術說明：本技術主要應用微機電製程製作氣體感測器之加熱器、氣體感測電極。其原理利用加熱器控溫至作動溫度，因偵測氣體與感測材料反應，致使電阻產生變化，而使電極偵測得知氣體成分為何。並可利用微機電（MEMS）技術和互補式金氧半導體積體電路（CMOS IC）技術在未來將兩者整合為一感測系統。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、
技術成熟度	雛型
可應用範圍	此產品可應用於感測有毒害氣體濃度，如一氧化碳、硫化氫、瓦斯氣、酒精等。
潛力預估	應用微機電製程製作氣體感測器
聯絡人員	羅政
電話	06-3847128
傳真	06-3847294
電子信箱	chenglo@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	化工,機械背景及半導體製程人才

序號

992

產出年度

技術名稱-中文

微氣體感測器

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

微奈米系統應用技術四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

技術說明：本技術主要應用微機電製程製作氣體感測器之加熱器、氣體感測電極。其原理利用加熱器控溫至作動溫度，因偵測氣體與感測材料反應，致使電阻產生變化，而使電極偵測得知氣體成分為何。並可利用微機電（MEMS）技術和互補式金氧半導體積體電路（CMOS IC）技術在未來將兩者整合為一感測系統。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、

技術成熟度

雛型

可應用範圍

此產品可應用於感測有毒害氣體濃度，如一氧化碳、硫化氫、瓦斯氣、酒精等。

潛力預估

應用微機電製程製作氣體感測器

聯絡人員

羅政

電話

06-3847128

傳真

06-3847294

電子信箱

chenglo@itri.org.tw

參考網址

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所須軟硬體設備

微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才

化工,機械背景及半導體製程人才

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微氣體感測器	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... \| 潛力預估: 潛力中等 @ 技術司可移轉技術資料集
微氣體感測器之封裝方式	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I290358 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 96 \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 郭乃豪柯文旺 @ 技術司專利資料集

微氣體感測器

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微氣體感測器之封裝方式

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微機電共用晶片	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal \| 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程 @ 技術司可移轉技術資料集
無線生理訊號感測模組設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) \| 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、... @ 技術司可移轉技術資料集
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利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 \| 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。 @ 技術司可移轉技術資料集
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矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/min \| 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。 @ 技術司可移轉技術資料集

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汽車用前/後乘客座氣囊袋技術開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.氣囊袋容積：100 ~ 120 公升。2. 75 -- 210單尼薄型Nylon布。3. 0.1mm TPU薄型高分子膜。 \| 潛力預估: 原料為現有商品，無缺貨之虞。每年可製作數萬枚。
防側/後撞空氣囊裝置開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 充填氣體溫度：＜200℃。防側撞空氣囊裝置：充氣時間＜30msec，維持壓力時間＞5sec，氣囊袋容積10-12公升。後座防撞空氣囊裝置：充氣時間＜60msec，氣囊袋容積100-120公升。 \| 潛力預估: 2010年啟美國與歐洲將立法要求加裝防側撞之防護裝置，簾幕型空氣囊系統預估每年有數千萬組之市場需求。中/高級車將以具有後座乘客防護空氣囊系統為訴求，預估每年需求量達數百萬組。
先進充氣模組開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 氣囊袋維持充氣狀態時間＞5 sec。噴嘴耐壓＞2000 psi，短期耐溫＞2000℃。 \| 潛力預估: 全球每年數萬組。
產品安全可靠度鑑測技術開發	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本項技術為一品質保證技術，重點在於KNOW-HOW，並無技術規格可資描述。 \| 潛力預估: 經濟部於93年8月5日所召開的「第二季促進投資擴大招商推動會議」，亦指示工業局提出「壯大汽車零組件產業發展策略」─預期 2008 年台灣的汽車零組件產業產值可達新台幣3784億元，其中電子零組件可達...
電腦模擬技術在方向盤Body Block試驗之應用	執行單位: 中科院化學所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進安全車輛系統整合平台技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 模擬結果與試驗比對，趨勢須一致，關鍵數值誤差在10％以內。 \| 潛力預估: 承受衝擊環境之產品設計皆可使用此技術。
MB-OFDM UWB V1.0 Matlab baseband simulation platform	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform；Group A，B，C，D，E bands... \| 潛力預估: 可搶攻短距離無線通訊與數位家庭市場，極具市場淺力
MB-OFDM UWB V1.0 ADS RF and baseband co-simulation platform	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform；Group A，B，C，D，E bands... \| 潛力預估: 可搶攻短距離無線通訊與數位家庭市場，極具市場淺力
MB-OFDM UWB V1.0 baseband VHDL code	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範；Group A bands (3.1GHz – 4.9GHz)；Data rate：6.6，10，13.3，20， 25，40，50，60Mbps。 \| 潛力預估: 可搶攻短距離無線通訊與數位家庭市場，極具市場淺力
MB-OFDM UWB V1.0 ADS RF simulation platform	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 超寬頻系統平台與IP發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合MB-OFDM UWB PHY v1.0規範之Matlab floating-point與fixed-point simulation platform；Group A，B，C，D，E bands... \| 潛力預估: 可搶攻短距離無線通訊與數位家庭市場，極具市場淺力
用戶台及基地台Trch Codec模組技術	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻行動通訊整合技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合3GPP W-CDMA R99版規範 \| 潛力預估: 可搶攻3G W-CDMA晶片市場，極具市場淺力
環境頻譜分析及基地台整合測試技術	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 寬頻行動通訊整合技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 適用無線通訊頻段3G/WiFi/WLAN/PHS/CDMA2000干擾量測 \| 潛力預估: 可為未來電信營運商評估基地台設置、電信監理等服務。
導航顯示電腦技術	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 飛航資訊廣播及通訊技術開發三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Display Control & Processor Unit (Airborne Computer)；6.4”TFT LCD Flat Panel640；480 dot RGB, Antiglar... \| 潛力預估: 可運用於電腦、遊艇與汽車導航顯示器。
直接數位訊號(DDS)合成電路設計開發	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊光電領域軍品釋商計畫 \| 領域: \| 技術規格: 輸出頻寬: 0-160MHz；功率: -8dBm ；工作溫度範圍:-40~+85℃；信號雜訊比:3 60 dB \| 潛力預估: 民用船舶如漁船及小型遊艇甚至推廣至車用防撞系統
低相位雜訊鎖相迴路振盪器 (Phase-locked DRO)	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊光電領域軍品釋商計畫 \| 領域: \| 技術規格: 輸出頻率: X band (or Ku band)；相位雜訊: -110 dBc/Hz @100KHz \| 潛力預估: 民用船舶如漁船及小型遊艇甚至推廣至車用防撞系統
低頻高增益帶通濾波器設計開發	執行單位: 中科院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 通訊光電領域軍品釋商計畫 \| 領域: \| 技術規格: 頻寬: 30kHz~160kHz；平均增益90dB \| 潛力預估: 民用船舶如漁船及小型遊艇甚至推廣至車用防撞系統亦有數十億元之市場規模

汽車用前/後乘客座氣囊袋技術開發

防側/後撞空氣囊裝置開發

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技術成熟度

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