微氣體感測器
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技術名稱-中文微氣體感測器的執行單位是工研院電子所, 產出年度是94, 計畫名稱是微奈米系統應用技術四年計畫, 技術規格是規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、, 潛力預估是應用微機電製程製作氣體感測器.

序號	992
產出年度	94
技術名稱-中文	微氣體感測器
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	微奈米系統應用技術四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	技術說明：本技術主要應用微機電製程製作氣體感測器之加熱器、氣體感測電極。其原理利用加熱器控溫至作動溫度，因偵測氣體與感測材料反應，致使電阻產生變化，而使電極偵測得知氣體成分為何。並可利用微機電（MEMS）技術和互補式金氧半導體積體電路（CMOS IC）技術在未來將兩者整合為一感測系統。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、
技術成熟度	雛型
可應用範圍	此產品可應用於感測有毒害氣體濃度，如一氧化碳、硫化氫、瓦斯氣、酒精等。
潛力預估	應用微機電製程製作氣體感測器
聯絡人員	羅政
電話	06-3847128
傳真	06-3847294
電子信箱	chenglo@itri.org.tw
參考網址	(空)
所須軟硬體設備	微機電製程及半導體設備
需具備之專業人才	化工,機械背景及半導體製程人才
同步更新日期	2019-07-24

序號

992

產出年度

技術名稱-中文

微氣體感測器

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

微奈米系統應用技術四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

技術說明：本技術主要應用微機電製程製作氣體感測器之加熱器、氣體感測電極。其原理利用加熱器控溫至作動溫度，因偵測氣體與感測材料反應，致使電阻產生變化，而使電極偵測得知氣體成分為何。並可利用微機電（MEMS）技術和互補式金氧半導體積體電路（CMOS IC）技術在未來將兩者整合為一感測系統。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、

技術成熟度

雛型

可應用範圍

此產品可應用於感測有毒害氣體濃度，如一氧化碳、硫化氫、瓦斯氣、酒精等。

潛力預估

應用微機電製程製作氣體感測器

聯絡人員

羅政

電話

06-3847128

傳真

06-3847294

電子信箱

chenglo@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

微機電製程及半導體設備

需具備之專業人才

化工,機械背景及半導體製程人才

同步更新日期

2019-07-24

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微氣體感測器	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... \| 潛力預估: 潛力中等 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
微氣體感測器之封裝方式	核准國家: 中華民國 \| 執行單位: 工研院南分院 \| 產出年度: 96 \| 專利性質: 發明 \| 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 \| 專利發明人: 郭乃豪柯文旺 \| 證書號碼: I290358 @ 經濟部產業技術司–專利資料集

微氣體感測器

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微氣體感測器之封裝方式

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微機電共用晶片	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal \| 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
無線生理訊號感測模組設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、... \| 潛力預估: 據經濟部工業局研究報告指出，估計1992到2002年全球醫療器材複合年成長率為14.83%，台灣醫療保健產業產值成長率更達18.5%，若我們依美國市場推估，則台灣地區居"家"照護市場規模每年約20~3... @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
厚膜光阻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 \| 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 \| 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
低應力薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: SIN Film Stress \| 潛力預估: 穩定可量產 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
矽晶片蝕穿技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_；蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30 \| 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集
矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/mi \| 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。 @ 經濟部產業技術司–可移轉技術資料集

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高性能抗彈陶瓷板試製及小批量產技術開發研究	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 須通過20機砲砲擊驗證 \| 潛力預估: 96-121年：每年產值為3億元
通訊用燃料電池模組應用開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電壓：24+-2V，功率：100~250W \| 潛力預估: 環保綠色新能源，對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下，極具市場開拓價值。
質子交換膜燃料電池應用開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電壓：24+-2V，功率：100~250W \| 潛力預估: 環保綠色新能源，對於未來環保要求及石化能源日益短缺之情形下，極具市場開拓價值。
玻璃融封零組件應用開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可量產製作，規格可依使用用途及設計不同彈性開發應用。 \| 潛力預估: 可搶攻3C電子產業市場，極具市場潛力。
微波吸收材應用開發	執行單位: 中科院軍民通用中心 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 材料與化工領域資源釋商科專計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可量產製作，長寬可依合作廠商工廠機具現況設計彈性開發應用。 \| 潛力預估: 生產所需機具成本較高。
真空機械手臂開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．晶圓大小:300mm；真空度: 1×10-7Torr；運動範圍: R軸930 mm、θ軸355度、Z軸30mm；PC Based架構控制器，具離線校準教導控制器及RS232通訊介面 \| 潛力預估: 機械手臂為半導體設備中不可缺少的關鍵組件，國內皆仰賴進口一座投資十億美元之半導體廠，其製程設備晶圓輸送設備約占6.7%，計有6,700萬美元，其中真空機械手臂188套，估計約760萬美元。
集束型製程設備真空輸送平台系統技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．主腔型態:六面腔或八面腔，真空度: 1×10-7Torr，控制介面: RS232，硬體介面:符合SEMI標準規範，晶圓尺寸：200mm/300mm \| 潛力預估: 集束型設備，具有節省空間及時間等效益，為現階段半導體廠常見之設備組態方式，而集束型真空輸送平台系統為集束型設備不可或缺之設備之一，目前此類設備均為外購，深具市場潛力。
半導體基材輸送設備控制器開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合SEMI SECS標準、元件化組裝方便 \| 潛力預估: 目前國內所使用半導體設備控制器多為國外產品或由國內廠商針對單一機台所開發控制器，其架構多為封閉式架構，不易修改或維護，本產品採開放式多層架構，元件化設計，組裝方便，可依不同機台快速組裝與抽換;由於半導...
磁性流體軸封開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 操作溫度0 ~ 80℃，耐真空度10-8Torr，洩漏速度10-10 mbar/sec，單/雙軸式磁性軸封 \| 潛力預估: 磁性流體軸封為半導體設備中用以隔離運動件之真空與大氣介面不可或缺重要組件，常用於真空機械手臂之真空隔離介面，由於磁性流體具有使用期限，為定期更換件，每年約有1,000顆以上之需求量。
磁性聯軸器設計開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 真空度: 10-9Torr、傳輸扭矩: 50N-m \| 潛力預估: 磁性聯軸器為用於半導體設備中作為高真空隔離之運動件介面，由於目前半導體與平面額示器等製程設備之真空度要求日益增加，則本產品之市場潛力亦日益提升。
半導體前段設備標準通標模組	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 符合SEMI SECSI, SECSII, HSMS標準、符合微軟公司COM元件標準 \| 潛力預估: SECSI, SECSII, HSMS為半導體前段製程設備機台必需遵循之標準，本產品為標準通訊模組，目前此類標準通訊模組多使用國外產品，國內市場廣大，可配合未來國內自製機台使用，潛力無窮。
300mm電子迴旋共振高密度電漿化學氣相沉積機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 沉積率:2,500A/min，沉積溫度低於350℃，沉積均勻度為3% \| 潛力預估: 為我國從民國87年起，投資LCD相關產業約新台幣 2,000億元，LCD全球市場在民國94年將達390億美元，而全球設備產業將達61億美元，其中LCD前段製程設備則佔33億美元。本機台可應用在半導體...
300mm電子迴旋共振高密度電漿蝕刻機台	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．蝕刻300mm 晶圓之0.25μ細線．蝕刻速率為2,500 A /min ．蝕刻均勻度小於3 % \| 潛力預估: 我國半導體製造已耀居全球第四位，所需求之半導體前段設備投資規格已居全球第三，於民國91年市場達34.6億美元，預計至95年我國半導體製程達56.2億美元。本機台可應用在半導體前段製程及LCD製程，預估...
精密雷射切割機	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: ．定位精度：0.5μm ．馬達最快速度: 120m/min ．馬達最快加速度: 1.5g ．切割速度:~4000 Aperture/Hour ．具雷射刀徑補正及聚焦控制功能 \| 潛力預估: 我國半導體依產業調查僅就92年全球半導體雷射切割市場約為650萬美元，94年全球市場規模預測約可達3,400萬美元
線性馬達驅動四軸臥式高速加工技術開發	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 新興產業精密機械系統關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 機器重量70Hz、靜剛性>1μm /kg、最大工件尺寸760mm x ψ530mm \| 潛力預估: 相關文獻顯示，預估至民國94年高速切削加工機將占有50%的工具機市場;到99年時，以線性馬達驅動之工具機將占10 ~ 20%。將線性馬達驅動高速機構應用推廣至業界新產品開發，預計可建立業界高速工具機...