滾珠軸承噪音診斷技術
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文滾珠軸承噪音診斷技術的執行單位是車輛中心, 產出年度是96, 計畫名稱是車輛驗證與技術整合應用三年計畫, 技術規格是1.單通道滾珠軸承振動訊號輸入_x000D_2.低頻 0~300Hz_x000D_3.中頻 300~600Hz_x000D_4.高頻 600~1800Hz_x000D_5.具備故障滾珠/內環/外環/保持器等元件之缺陷判定功能, 潛力預估是軸承製造廠商適用.

序號	2280
產出年度	96
技術名稱-中文	滾珠軸承噪音診斷技術
執行單位	車輛中心
產出單位	(空)
計畫名稱	車輛驗證與技術整合應用三年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	目前國內軸承生產之精度缺乏分級檢驗能量,本技術針對滾珠軸承生產過程之品質檢驗，以頻譜分析訊號判別軸承品質良宥，作為軸承品質分級之客觀判定工具。本技術搭配軸承振動試驗機及量測分析軟體，將運轉過程所量測之振動訊號，依低頻、中頻、高頻分別建立品質分級指標，並針對軸承內環、外環、滾珠、保持器等部件若有缺陷所對應之特徵頻率，建立缺陷判斷指標，可準確呈現軸承組裝品質與振動噪音特性。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	1.單通道滾珠軸承振動訊號輸入_x000D_2.低頻 0~300Hz_x000D_3.中頻 300~600Hz_x000D_4.高頻 600~1800Hz_x000D_5.具備故障滾珠/內環/外環/保持器等元件之缺陷判定功能
技術成熟度	雛型
可應用範圍	本技術應用於軸承生產線之快速品檢與精度篩選，亦可協助軸承開發過程之振動噪音特性驗證，以及軸承安裝至實際機械運轉之故障監控。
潛力預估	軸承製造廠商適用
聯絡人員	潘國良
電話	04-7811222#7316
傳真	04-7811666
電子信箱	jove@artc.org.tw
參考網址	http://www.artc.org.tw
所須軟硬體設備	軸承動態試驗機台_x000D_電腦含音效卡，作業系統 Windows XP
需具備之專業人才	聲學、結構振動相關背景

序號

2280

產出年度

技術名稱-中文

滾珠軸承噪音診斷技術

執行單位

車輛中心

產出單位

(空)

計畫名稱

車輛驗證與技術整合應用三年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

目前國內軸承生產之精度缺乏分級檢驗能量,本技術針對滾珠軸承生產過程之品質檢驗，以頻譜分析訊號判別軸承品質良宥，作為軸承品質分級之客觀判定工具。本技術搭配軸承振動試驗機及量測分析軟體，將運轉過程所量測之振動訊號，依低頻、中頻、高頻分別建立品質分級指標，並針對軸承內環、外環、滾珠、保持器等部件若有缺陷所對應之特徵頻率，建立缺陷判斷指標，可準確呈現軸承組裝品質與振動噪音特性。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.單通道滾珠軸承振動訊號輸入_x000D_2.低頻 0~300Hz_x000D_3.中頻 300~600Hz_x000D_4.高頻 600~1800Hz_x000D_5.具備故障滾珠/內環/外環/保持器等元件之缺陷判定功能

技術成熟度

雛型

可應用範圍

本技術應用於軸承生產線之快速品檢與精度篩選，亦可協助軸承開發過程之振動噪音特性驗證，以及軸承安裝至實際機械運轉之故障監控。

潛力預估

軸承製造廠商適用

聯絡人員

潘國良

電話

04-7811222#7316

傳真

04-7811666

電子信箱

jove@artc.org.tw

參考網址

http://www.artc.org.tw

所須軟硬體設備

軸承動態試驗機台_x000D_電腦含音效卡，作業系統 Windows XP

需具備之專業人才

聲學、結構振動相關背景

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機車引擎動態噪音改善	執行單位: 車輛中心 \| 產出年度: 95 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 車輛研測關鍵技術發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 適用引擎最大馬力 < 100kW, 最高轉速 < 8000rpm；STSF 噪音源診斷頻率 300-3000Hz；引擎操作條件: 急加速/定速；結構模態測試: Free-Free, validatio... \| 潛力預估: *04-78112227316** @ 技術司可移轉技術資料集
小型車振動噪音性能指標測試技術	執行單位: 車輛中心 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 車輛驗證與技術整合應用三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 車速範圍 0~140km/hr引擎轉速 0~8000 rpm最大通道數≦48頻率範圍≦20KHz車用電源:14VDC作業平台: Windows XP Professional \| 潛力預估: 汽、機車整車開發均可應用 @ 技術司可移轉技術資料集
結構模態測試與分析技術(實驗與有限元素分析)	執行單位: 車輛中心 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 車輛驗證與技術整合應用三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 最高4個同步獨立激振源入力_x000D_三軸向加速規10顆以上_x000D_有限元模型100萬自由度以內 \| 潛力預估: 汽、機車或機械領域相關產品開發均可應用 @ 技術司可移轉技術資料集
輪胎噪音檢測技術(含輛胎單體與實車滑行噪音測試)	執行單位: 車輛中心 \| 產出年度: 96 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 車輛驗證與技術整合應用三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.輪胎單體測試_x000D_最高負載 \| 潛力預估: 輪胎廠/整車廠/道路工程廠商 @ 技術司可移轉技術資料集
衝擊音堅實度音質參數之建立方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 205185 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 車輛中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 車輛研測關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 潘國良 \| 林峰仰 \| 鄭志鈞 \| 吳豐泰 \| 楊國偉 @ 技術司專利資料集
汽車關門音發聲機構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220943 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 車輛中心 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 車輛研測關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 林峰仰 \| 潘國良 @ 技術司專利資料集

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微機電共用晶片	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal \| 潛力預估: 微機電面型微加工標準製程
無線生理訊號感測模組設計技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) \| 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台：Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...
厚膜光阻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 \| 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。
利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 \| 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。
低應力薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: SIN Film Stress \| 潛力預估: 穩定可量產
矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本
微氣體感測器	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 \| 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器
矽晶片蝕穿技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_；蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30 \| 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。
矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/min \| 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ；薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。
無鉛製程技術資訊平台建立	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明：無鉛定義(未刻意添加下，材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%，鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... \| 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量，衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品，諸如伺服器與工作站、桌上型電腦，筆記型電腦、主機板、消...
基板內藏元件整合設計與模型庫技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工作頻段：2.4GHz；新材料(εr≧38 \| 潛力預估: 基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等
射頻內藏被動元件之模型程式庫技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specificati... \| 潛力預估: 基板內藏被動元件，可以取代傳統SMD元件，市場上具有龐大的商業潛力，依據市場知名市調公司PRISMARK預估，西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上，商機需求逐年擴增；且係通訊產品高...
3D基板式堆疊構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_；一步成型式導通孔技術 \| 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展，除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小，提升電子產品縮小化的效率外，更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中，而以最有效益的方式，達到System in Packa...
迴路型熱管散熱技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域：45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小)；傳輸距離30 cm \| 潛力預估: 以真空硬銲方式接合，外觀與強度符合所需，蒸發端與冷凝端均為平面構造，易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步