半導體製程有害氣體過濾研製技術
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技術名稱-中文半導體製程有害氣體過濾研製技術的執行單位是中科院材料所, 產出年度是99, 計畫名稱是奈米材料及製程技術發展計畫, 技術規格是半導體氣體處理、監控設備, 潛力預估是適用於處理擴散製程所產生之劇毒性氣體，並進一步擴展至化工產業所產生毒性氣體的處理，處理技術不必仰賴、受制於國外廠商.

序號	4611
產出年度	99
技術名稱-中文	半導體製程有害氣體過濾研製技術
執行單位	中科院材料所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米材料及製程技術發展計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	產品可用於半導體業各種製程氣體的消除及監控，特別是蝕刻與薄膜製程所產生的廢酸性氣體效果更好
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	半導體氣體處理、監控設備
技術成熟度	試量產
可應用範圍	可針對半導體製程排放氣體進行有害物質消除及監測分析。
潛力預估	適用於處理擴散製程所產生之劇毒性氣體，並進一步擴展至化工產業所產生毒性氣體的處理，處理技術不必仰賴、受制於國外廠商
聯絡人員	王立群
電話	03-4712201ext358363
傳真	(03)4458233-請註明四所三組王立群
電子信箱	csist@csistdup.org.tw
參考網址	無
所須軟硬體設備	氣體感測器、微量氣體檢測儀器、反應槽、攪拌設備。
需具備之專業人才	化工及化學專業人員
同步更新日期	2024-09-03

序號

4611

產出年度

技術名稱-中文

半導體製程有害氣體過濾研製技術

執行單位

中科院材料所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米材料及製程技術發展計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

產品可用於半導體業各種製程氣體的消除及監控，特別是蝕刻與薄膜製程所產生的廢酸性氣體效果更好

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

半導體氣體處理、監控設備

技術成熟度

試量產

可應用範圍

可針對半導體製程排放氣體進行有害物質消除及監測分析。

潛力預估

適用於處理擴散製程所產生之劇毒性氣體，並進一步擴展至化工產業所產生毒性氣體的處理，處理技術不必仰賴、受制於國外廠商

聯絡人員

王立群

電話

03-4712201ext358363

傳真

(03)4458233-請註明四所三組王立群

電子信箱

csist@csistdup.org.tw

參考網址

無

所須軟硬體設備

氣體感測器、微量氣體檢測儀器、反應槽、攪拌設備。

需具備之專業人才

化工及化學專業人員

同步更新日期

2024-09-03

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氣體感測薄膜研製技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 完成八組奈米複合薄膜：PVC、PEO、PECH、PVA與奈米碳黑及奈米碳管混成薄膜製備。 \| 潛力預估: 本計畫所建立的微型氣體感測系統，將來可被應用在手機、識別證、卡片、以及各式各樣的產品上，對經濟市場上可達到相當的貢獻。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
半導體與光電製程有害氣體濾除設備研製技術	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 完成多種氣體處理與監控設備 \| 潛力預估: 適用於處理擴散製程所產生之劇毒性氣體，並進一步擴展至化工產業所產生毒性氣體的處理，處理技術不必仰賴、受制於國外廠商 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
智慧型奈米薄膜氣體感測器開發與應用	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 研製30通道感測器、介面電路和類比數位轉換器製程之研究並建立8051氣體感測器控制器及演算法。 \| 潛力預估: 本計畫所建立的微型氣體感測系統，將來可被應用在手機、識別證、卡片、以及各式各樣的產品上，對經濟市場上可達到相當的貢獻。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
智慧型奈米薄膜氣體感測器開發與應用	執行單位: 中科院材料所 \| 產出年度: 100 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米材料及製程技術發展計畫 \| 領域: \| 技術規格: 目前最高可製備30通道感測器，搭配介面電路和類比數位轉換器，以及8051氣體感測器控制器及演算法，建構為各類型氣體感測系統。 \| 潛力預估: 本計畫所建立的微型氣體感測系統，將來可被應用在手機、識別證、卡片、以及各式各樣的產品上，對經濟市場上可達到相當的貢獻。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

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毛細管電泳晶片技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... \| 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序，在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後，微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例，2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...
單石微陣列噴墨晶片技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 將高分子流道與噴孔片直接在具微陣列噴墨加熱器之晶片完成製作 2. 環型加熱器和第二氣泡設計，可提升噴液頻率 \| 潛力預估: 針對噴墨頭產業，此製程可提升國內廠商之產品競爭力以提高市場佔有率增進廠商獲利
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超臨界點抗黏著乾燥技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 元件尺寸：1. maximum. Length <= 1000 um 2. Length / Width Ratio：50 ‧ 結構層：Poly Silicon，厚度範圍：1 ~ 2 um。 ‧ 犧牲... \| 潛力預估: 面型微加工關鍵技術,但成本高,應用潛力中等
低應力薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: SIN Film Stress <= 100Mpa。 \| 潛力預估: 面型微加工重要技術,應用潛力高
矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um . Etching rate: 1~3um/min \| 潛力預估: 微加工技術重要技術,但成本高,應用潛力中等
MRAM 元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write<50ns)、高可重複讀寫次數(>1015) 、省電(oper... \| 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... \| 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。
相變化薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間<100ns \| 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。