CIGS太陽電池真空線性蒸鍍技術
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技術名稱-中文CIGS太陽電池真空線性蒸鍍技術的執行單位是中科院飛彈所, 產出年度是101, 計畫名稱是CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫, 技術規格是卷軸CIGS吸收層精密三階段真空蒸鍍技術蒸鍍溫度穩定度可達1400±1℃，卷軸速率20cm±1cm。, 潛力預估是光電面板廠、太陽能製程設備系統。.

序號	5904
產出年度	101
技術名稱-中文	CIGS太陽電池真空線性蒸鍍技術
執行單位	中科院飛彈所
產出單位	(空)
計畫名稱	CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	捲繞式薄膜太陽能電池CIGS吸收層精密三階段真空蒸鍍技術開發。
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	卷軸CIGS吸收層精密三階段真空蒸鍍技術蒸鍍溫度穩定度可達1400±1℃，卷軸速率20cm±1cm。
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	在光電、綠能、軟性電子等產業相關研究領域。
潛力預估	光電面板廠、太陽能製程設備系統。
聯絡人員	潘文玨
電話	03-4712201#356460
傳真	03-4713318
電子信箱	csist@csistdup.org.tw
參考網址	http://csist@csistdup.org.tw
所須軟硬體設備	精密溫度控制、精密真空高溫轉速控制、捲繞箔金屬及塑膠基板張力及尋邊控制。
需具備之專業人才	機械、機電整合。

序號

5904

產出年度

101

技術名稱-中文

CIGS太陽電池真空線性蒸鍍技術

執行單位

中科院飛彈所

產出單位

(空)

計畫名稱

CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

捲繞式薄膜太陽能電池CIGS吸收層精密三階段真空蒸鍍技術開發。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

卷軸CIGS吸收層精密三階段真空蒸鍍技術蒸鍍溫度穩定度可達1400±1℃，卷軸速率20cm±1cm。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

在光電、綠能、軟性電子等產業相關研究領域。

潛力預估

光電面板廠、太陽能製程設備系統。

聯絡人員

潘文玨

電話

03-4712201#356460

傳真

03-4713318

電子信箱

csist@csistdup.org.tw

參考網址

http://csist@csistdup.org.tw

所須軟硬體設備

精密溫度控制、精密真空高溫轉速控制、捲繞箔金屬及塑膠基板張力及尋邊控制。

需具備之專業人才

機械、機電整合。

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用於玻璃基板之硒化製程設備	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I523963 \| 專利期間起: 105/03/01 \| 專利期間訖: 123/12/09 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院飛彈火箭研究所 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 大面積RTP硒／硫化製程技術暨設備自主開發計畫 \| 專利發明人: 潘文玨 \| 徐滄銘 \| 韋士珊 \| 陳燦桐 \| 李人傑 @ 技術司專利資料集
液滴滴下時之重量即時量測方法及其裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I328113 \| 專利期間起: 1999/8/1 \| 專利期間訖: 115/12/03 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 99 \| 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 \| 專利發明人: 潘文玨 \| 賴哲雄 \| 范陽鑑 \| 郭豐河 \| 黃啟芳 \| 方健維 @ 技術司專利資料集
軟性太陽能電池製程設備關鍵模組技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 98 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可印製式製備塗佈乾膜厚度達2.5μm以下。 \| 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集
輻射式快速熱處理技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 熱處理溫度≧800 ℃、加熱速率≧10℃/s、加熱溫度均勻度±1%、底材：玻璃。 \| 潛力預估: 薄膜太陽能板製程設備。 @ 技術司可移轉技術資料集
軟性太陽能電池製程設備關鍵模組技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 99 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可印製式製備塗佈乾膜厚度達2.0μm以下。 \| 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集
軟性太陽能電池製程設備關鍵模組技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 100 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 薄膜太陽能製程設備及模組關鍵技術研究發展三年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 可印製式製備塗佈乾膜厚度達2.0μm以下。 \| 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集
CIGS太陽電池真空線性蒸鍍模組開發技術	執行單位: 中科院飛彈所 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 \| 領域: \| 技術規格: 卷軸CIGS採用DSMC分析技術精確計算銅銦鎵硒不同元素，於動態鍍膜狀態下組成率及厚度分佈的均勻性，並因而獲致較佳之噴嘴設計型態，其均勻度可達大面積下之非均勻性小於±5%。 \| 潛力預估: 光電面板廠、太陽能製程設備系統。 @ 技術司可移轉技術資料集
CIGS太陽電池真空線性蒸鍍模組開發技術	執行單位: 中科院飛彈火箭研究所 \| 產出年度: 103 \| 產出單位: \| 計畫名稱: CIGS太陽電池關鍵技術開發計畫 \| 領域: 綠能科技 \| 技術規格: 線性蒸鍍、CIGS製程開發。 \| 潛力預估: CIGS太陽電池開發、各式薄膜製程。 @ 技術司可移轉技術資料集

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利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 \| 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。
低應力薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: SIN Film Stress \| 潛力預估: 穩定可量產
矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本
微氣體感測器	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 \| 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器
矽晶片蝕穿技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_；蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30 \| 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。
矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/min \| 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ；薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。
無鉛製程技術資訊平台建立	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明：無鉛定義(未刻意添加下，材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%，鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... \| 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量，衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品，諸如伺服器與工作站、桌上型電腦，筆記型電腦、主機板、消...
基板內藏元件整合設計與模型庫技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工作頻段：2.4GHz；新材料(εr≧38 \| 潛力預估: 基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等
射頻內藏被動元件之模型程式庫技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specificati... \| 潛力預估: 基板內藏被動元件，可以取代傳統SMD元件，市場上具有龐大的商業潛力，依據市場知名市調公司PRISMARK預估，西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上，商機需求逐年擴增；且係通訊產品高...
3D基板式堆疊構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_；一步成型式導通孔技術 \| 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展，除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小，提升電子產品縮小化的效率外，更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中，而以最有效益的方式，達到System in Packa...
迴路型熱管散熱技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域：45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小)；傳輸距離30 cm \| 潛力預估: 以真空硬銲方式接合，外觀與強度符合所需，蒸發端與冷凝端均為平面構造，易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步
無鉛製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 \| 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量，衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品，諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...
增益型晶圓級晶方尺度構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: *Die size:1010mm；Pitch: 0.8mm, 1.0mm；Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_；Wafer size: 6" or...** \| 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，。其結構設計，第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝，第二層之應...
銅晶片覆晶凸塊植球與組裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Pitch: 200, 250, 540 μm_x000D_；Solder Bump Height: 80, 100,130 μm_x000D_；UBM: Ti/Cu, Electroless Ni... \| 潛力預估: 比起過去使用的鋁導線，銅導線有較低的RC延遲特性及較佳的電子漂移阻抗，尤其當線寬愈來愈窄的時候，其對高頻的影響愈來愈大，被視為下一代高速積體電路的明星製程，然國際間至今仍普遍缺乏銅製程構裝技術，而國內...