彈性支撐系統之方法與裝置
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技術名稱-中文彈性支撐系統之方法與裝置的執行單位是工研院機械所, 產出年度是104, 計畫名稱是機械與系統領域工業基礎技術研究計畫, 領域是製造精進, 技術規格是彈性支撐系統,由許多基本的支撐單元所組成,其以陣列方式排列,透過改變支撐單元,使整個陣列擬合工件的表面,以達到支撐效果。其中,支撐單元具備了可升降、可調整角度之萬向頭的結構,可以貼合工件表面,並且具有真空吸盤結構,可將工件固定。驅動系統中我們將利用多工器,使多個軸共用一組驅動,以降低驅動器成本。並利..., 潛力預估是航太工產值約3000億.

序號7651
產出年度104
技術名稱-中文彈性支撐系統之方法與裝置
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱機械與系統領域工業基礎技術研究計畫
領域製造精進
已申請專利之國家中華民國、美國、中國大陸
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文彈性支撐系統,由支撐單元以陣列方式排列,貼合工件表面,達成支撐工件之功效
技術現況敘述-英文(空)
技術規格彈性支撐系統,由許多基本的支撐單元所組成,其以陣列方式排列,透過改變支撐單元,使整個陣列擬合工件的表面,以達到支撐效果。其中,支撐單元具備了可升降、可調整角度之萬向頭的結構,可以貼合工件表面,並且具有真空吸盤結構,可將工件固定。驅動系統中我們將利用多工器,使多個軸共用一組驅動,以降低驅動器成本。並利用CAD檔案,自動取得區域曲面的法向量與座標,並利將座標轉換為支撐系統XYZ以及AB軸的座標,並自動匯入控制器,控制支撐單元角度。
技術成熟度量產
可應用範圍航太加工
潛力預估航太工產值約3000億
聯絡人員王仁傑
電話049-2345331
傳真049-2345301
電子信箱MorrisWang@itri.org.tw
參考網址http://.
所須軟硬體設備支撐設備、控制器、操作軟體
需具備之專業人才機電整合工程師
同步更新日期2023-07-22

序號

7651

產出年度

104

技術名稱-中文

彈性支撐系統之方法與裝置

執行單位

工研院機械所

產出單位

(空)

計畫名稱

機械與系統領域工業基礎技術研究計畫

領域

製造精進

已申請專利之國家

中華民國、美國、中國大陸

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

彈性支撐系統,由支撐單元以陣列方式排列,貼合工件表面,達成支撐工件之功效

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

彈性支撐系統,由許多基本的支撐單元所組成,其以陣列方式排列,透過改變支撐單元,使整個陣列擬合工件的表面,以達到支撐效果。其中,支撐單元具備了可升降、可調整角度之萬向頭的結構,可以貼合工件表面,並且具有真空吸盤結構,可將工件固定。驅動系統中我們將利用多工器,使多個軸共用一組驅動,以降低驅動器成本。並利用CAD檔案,自動取得區域曲面的法向量與座標,並利將座標轉換為支撐系統XYZ以及AB軸的座標,並自動匯入控制器,控制支撐單元角度。

技術成熟度

量產

可應用範圍

航太加工

潛力預估

航太工產值約3000億

聯絡人員

王仁傑

電話

049-2345331

傳真

049-2345301

電子信箱

MorrisWang@itri.org.tw

參考網址

http://.

所須軟硬體設備

支撐設備、控制器、操作軟體

需具備之專業人才

機電整合工程師

同步更新日期

2023-07-22

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序號7647
產出年度104
技術名稱-中文強健性顫振預測方法
執行單位工研院機械所
產出單位(空)
計畫名稱機械與系統領域工業基礎技術研究計畫
領域製造精進
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文預測主軸結合不同刀柄刀具之動態響應函數,以提供後續計算該刀具之切削穩定性。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格建立有限元素法主軸刀柄模組結合介面、刀柄主軸耦合效應之動態分析,以及實驗檢測信號之合成法則。
技術成熟度試量產
可應用範圍精密機械
潛力預估工具機產業年產值約1500億,單月產出機台數量約1600台,目前已接洽之整機廠與加工廠包含:喬崴進、協銳、協鴻、程泰、高鋒、永進、亞太菁英、福裕、福碩、百德、程泰峰等廠商皆表示有意願參與合作。此外航太與汽車加工產業包含漢翔、凱博、聚鉑、鋒擎、巧新、利奇目前皆已規劃導入此技術。
聯絡人員王仁傑
電話049-2345331
傳真049-2345301
電子信箱MorrisWang@itri.org.tw
參考網址.
所須軟硬體設備一個偵測振動或切削聲音的感測器,一個獨立成分分析單元、一個辨識單元及顫振處理單元。
需具備之專業人才機電整合工程師
序號: 7647
產出年度: 104
技術名稱-中文: 強健性顫振預測方法
執行單位: 工研院機械所
產出單位: (空)
計畫名稱: 機械與系統領域工業基礎技術研究計畫
領域: 製造精進
已申請專利之國家: (空)
已獲得專利之國家: (空)
技術現況敘述-中文: 預測主軸結合不同刀柄刀具之動態響應函數,以提供後續計算該刀具之切削穩定性。
技術現況敘述-英文: (空)
技術規格: 建立有限元素法主軸刀柄模組結合介面、刀柄主軸耦合效應之動態分析,以及實驗檢測信號之合成法則。
技術成熟度: 試量產
可應用範圍: 精密機械
潛力預估: 工具機產業年產值約1500億,單月產出機台數量約1600台,目前已接洽之整機廠與加工廠包含:喬崴進、協銳、協鴻、程泰、高鋒、永進、亞太菁英、福裕、福碩、百德、程泰峰等廠商皆表示有意願參與合作。此外航太與汽車加工產業包含漢翔、凱博、聚鉑、鋒擎、巧新、利奇目前皆已規劃導入此技術。
聯絡人員: 王仁傑
電話: 049-2345331
傳真: 049-2345301
電子信箱: MorrisWang@itri.org.tw
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所須軟硬體設備: 一個偵測振動或切削聲音的感測器,一個獨立成分分析單元、一個辨識單元及顫振處理單元。
需具備之專業人才: 機電整合工程師
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厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

微鰭片散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 | 潛力預估: 應用潛力中

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

室溫熱像儀驅動顯示控制技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)畫面速率 30Hz (2)視訊 NTSC標準 | 潛力預估: 應用潛力中等

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ,薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等

類LIGA電鑄模技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材質:矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格:3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... | 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高

光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um | 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高

低應力電鑄金屬膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω | 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... | 潛力預估: 潛力中等

原子力顯微探針

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam:width 50μm Cantilever beam:length 450μm Can... | 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高

平面光波導製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Thickness U% | 潛力預估: 各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1*N splitter AWG module,未來發展潛力高

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: MEMS製程規格不易統一,潛力低

毛細管電泳晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... | 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序,在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後,微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例,2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

微鰭片散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 | 潛力預估: 應用潛力中

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

室溫熱像儀驅動顯示控制技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)畫面速率 30Hz (2)視訊 NTSC標準 | 潛力預估: 應用潛力中等

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ,薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等

類LIGA電鑄模技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材質:矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格:3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... | 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高

光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um | 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高

低應力電鑄金屬膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω | 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... | 潛力預估: 潛力中等

原子力顯微探針

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam:width 50μm Cantilever beam:length 450μm Can... | 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高

平面光波導製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Thickness U% | 潛力預估: 各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1*N splitter AWG module,未來發展潛力高

微機電共用晶片

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 3 poly-silicon 1 Metal | 潛力預估: MEMS製程規格不易統一,潛力低

毛細管電泳晶片技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 光學面熱壓模:模具側壁粗糙度,37nm(peak-to-vally),8nm(root meas aquare) 玻璃晶片:濕蝕刻管道寬度,20-50um,深度20um 塑膠晶片:熱壓成型管道寬度,... | 潛力預估: 毛細管電泳晶片最初應用在四色DNA之定序,在人類基因體計劃中證明了此技術的成功應用。此後,微生物晶片之發展便在世界各地展開。以醫療檢驗用晶片為例,2003年之整體銷售額將超越研究用晶片達到2.2億美元...

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