人造蠶絲纖維材料開發技術
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文人造蠶絲纖維材料開發技術的執行單位是工研院材化所, 產出年度是105, 計畫名稱是生質材料開發應用與生質產業建立計畫, 領域是民生福祉, 技術規格是(1) 改質纖維素重量平均分子量≧12萬、 (2) 紡絲液飽和溶解度≧15%、 (3) 纖維強度≧1.3g/d、 (4) 纖維長徑比≧60, 潛力預估是本計畫建立醋酸纖維素改質及分子量調控技術，可提高醋酯纖維的強度與應用性，並作為蠶絲的替代品。預期將提供環保、高附加價值及親膚舒適之纖維製品，吸引消費者使用，帶來商機.

序號	8029
產出年度	105
技術名稱-中文	人造蠶絲纖維材料開發技術
執行單位	工研院材化所
產出單位	(空)
計畫名稱	生質材料開發應用與生質產業建立計畫
領域	民生福祉
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	本計畫將於醋酸纖維素側鏈進行表面接枝改質，提高纖維聚合度及纖維強度；並以DMSO為紡絲溶劑，其溶劑可回收且成本低，為綠色環保製程。已完成:醋酸纖維素改質及分子量調控及纖維抽絲與物性分析，包含分子量、強度、細度及表面外觀形態
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	(1) 改質纖維素重量平均分子量≧12萬、 (2) 紡絲液飽和溶解度≧15%、 (3) 纖維強度≧1.3g/d、 (4) 纖維長徑比≧60
技術成熟度	實驗室階段
可應用範圍	纖維及紡絲相關製造業
潛力預估	本計畫建立醋酸纖維素改質及分子量調控技術，可提高醋酯纖維的強度與應用性，並作為蠶絲的替代品。預期將提供環保、高附加價值及親膚舒適之纖維製品，吸引消費者使用，帶來商機
聯絡人員	張德宜
電話	03-5913940
傳真	-
電子信箱	eddietychang@itri.org.tw
參考網址	http://-
所須軟硬體設備	紡絲機
需具備之專業人才	濕式/乾噴濕式紡絲人才
同步更新日期	2024-09-03

序號

8029

產出年度

105

技術名稱-中文

人造蠶絲纖維材料開發技術

執行單位

工研院材化所

產出單位

(空)

計畫名稱

生質材料開發應用與生質產業建立計畫

領域

民生福祉

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

本計畫將於醋酸纖維素側鏈進行表面接枝改質，提高纖維聚合度及纖維強度；並以DMSO為紡絲溶劑，其溶劑可回收且成本低，為綠色環保製程。已完成:醋酸纖維素改質及分子量調控及纖維抽絲與物性分析，包含分子量、強度、細度及表面外觀形態

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

(1) 改質纖維素重量平均分子量≧12萬、 (2) 紡絲液飽和溶解度≧15%、 (3) 纖維強度≧1.3g/d、 (4) 纖維長徑比≧60

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

纖維及紡絲相關製造業

潛力預估

本計畫建立醋酸纖維素改質及分子量調控技術，可提高醋酯纖維的強度與應用性，並作為蠶絲的替代品。預期將提供環保、高附加價值及親膚舒適之纖維製品，吸引消費者使用，帶來商機

聯絡人員

張德宜

電話

03-5913940

傳真

電子信箱

eddietychang@itri.org.tw

參考網址

http://-

所須軟硬體設備

紡絲機

需具備之專業人才

濕式/乾噴濕式紡絲人才

同步更新日期

2024-09-03

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薄膜封裝缺陷修補層材料技術	執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 105 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 軟性資訊顯示系統與應用技術開發計畫 \| 領域: 智慧科技 \| 技術規格: 1.材料穿透度≥95%；面板經r=15 mm捲曲10,000次後，百格測試≥5B。 \| 潛力預估: 開發適合軟性基材製程並可應用於WOLED/CF與RGB side-by-side等技術，搭配網印製程降低製造成本提高國內之自主性。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
智慧顯示器用高光穿透顯示材料技術	執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 102 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 先進互動與3D顯示系統技術關鍵計畫 \| 領域: \| 技術規格: ˙ 親疏水性調控範圍(CA:40°~120°) ˙ 檔牆高度10m，解析度 20m ˙ 硬化溫度≦180℃ \| 潛力預估: 不用電漿表面處理，及可做到親疏水界面可調控的材料技術；低溫製程，可於軟性基板製作。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
軟性彩色濾光片材料技術	執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 103 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 軟性資訊顯示系統與應用技術開發計畫 \| 領域: 智慧科技 \| 技術規格: 低溫可硬化(≦150℃)樹指的開發，顯示製程整@r=15mm/50,000次，高色彩飽和度光阻的開發NTSC≧72(D65光源)。 \| 潛力預估: 建立軟式元件的光學驗證平台，包含面板之穿透圖譜、元件的色座標，色轉換效率的量測等驗證技術平台。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
生質纖維素抽絲技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 104 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 生質材料開發應用與生質產業建立計畫 \| 領域: 民生福祉 \| 技術規格: 以高結晶酸酐針對纖維素結構上之OH官能基，進行纖維素改質，其OH取代度為1.5，使用WAXS (X-ray 散射法)測試結晶度為39.2，且其熱裂解溫度可達340℃。經改質之纖維素可以溶解於溶劑中進行... \| 潛力預估: 本計畫建立生質纖維素抽絲技術，未來在ICT、3C、運輸工具、光學和醫材方面有非常大的應用。藉由開發熱塑性纖維複材可以使高分子的強度與韌性獲得有效提升，複合材料業者相關產品之年產值達100億元以上。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
高耐熱擋牆結構材料技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 104 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 智慧手持裝置核心技術攻堅計畫 \| 領域: 智慧科技 \| 技術規格: 1.高耐熱擋牆材料光阻配方設計 2.兼具高耐熱(250℃)低釋氣(≦1ng/cm^2)之光阻材料 \| 潛力預估: 擋牆結構材料兼具高耐熱與低釋氣特性，將可有效提升軟性AMOLED顯示器之耐熱及阻水氧能力 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
低釋氣彩色濾光片材料技術	執行單位: 工研院顯示中心 \| 產出年度: 104 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 軟性資訊顯示系統與應用技術開發計畫 \| 領域: 智慧科技 \| 技術規格: 建立低溫可硬化(≦150℃)樹指的開發符合顯示製程@r=15mm/50,000次高色彩飽和度光阻的開發，NTSC≧75%(D65光源) \| 潛力預估: 建立軟式元件的光學驗證平台,包含面板之穿透圖譜、元件的色座標，色轉換效率的量測等驗證技術平台的建立。 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
生質纖維素改質技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 103 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 生質材料開發應用與生質產業建立計畫 \| 領域: 綠能科技 \| 技術規格: 利用不同碳數之長碳鏈改質劑進行纖維素改質，改質後纖維素之OH官能基取代度為1.5~2.2。完成纖維素抽絲纖維技術：將改質後纖維素溶解在MEK溶劑中配製成抽絲溶液進行紡絲，可得到纖維長度為70~120μ... \| 潛力預估: － @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集
奈米纖維素水相改質技術	執行單位: 工研院材化所 \| 產出年度: 105 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 生質材料開發應用與生質產業建立計畫 \| 領域: 民生福祉 \| 技術規格: (1)改質率≧10%、(2)混成樹脂薄膜透光度≧80%、(3)於樹脂中分散不產生團聚 \| 潛力預估: 協助廠商建立奈米纖維素改質及複材加工技術，提升國內廠商生質材料之技術水準，利用奈米纖維素加強混成樹脂性能，並推廣至合成樹脂、複合材料、複材精密加工、機能紡織品等產業領域 @ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

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10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm \| 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化，增加市場競爭力
電化學蝕刻停止技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 \| 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等
鎳鈷及金微電鑄及製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... \| 潛力預估: 應用潛力高
厚膜光阻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 \| 潛力預估: 應用潛力中
微鰭片散熱技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 \| 潛力預估: 應用潛力中
矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高
室溫熱像儀驅動顯示控制技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 \| 潛力預估: 應用潛力中等
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低
利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 \| 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等
矽晶片蝕穿技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 \| 潛力預估: 潛力中等
類LIGA電鑄模技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接觸式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... \| 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高
光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um \| 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高
低應力電鑄金屬膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω \| 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高
微氣體感測器	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... \| 潛力預估: 潛力中等
原子力顯微探針	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam：width 50μm Cantilever beam：length 450μm Can... \| 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高

人造蠶絲纖維材料開發技術 - 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

技術名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

領域

已申請專利之國家

已獲得專利之國家

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技術現況敘述-英文

技術規格

技術成熟度

可應用範圍

潛力預估

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