一種磊晶基極的雙極性電晶體製程
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專利名稱-中文一種磊晶基極的雙極性電晶體製程的核准國家是美國, 證書號碼是6589849, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是奈米電子關鍵技術四年計畫, 專利發明人是李傳英.

序號	751
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	一種磊晶基極的雙極性電晶體製程
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米電子關鍵技術四年計畫
專利發明人	李傳英
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	6589849
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	一種具磊晶基極的雙極性電晶體製程包含：形成埋入層於底材中，形成並對第一氧化層圖案化於埋入層上，裸露部分埋入層。以第一磊晶製程選擇性沉積磊晶集層於第一氧化層中，以覆蓋裸露的埋入層。並利用第二磊晶製程依序成長第一及第二磊晶集極層及第一氧化層上，且第二與第一磊晶製程係與同爐管中進行。然後形成TEOS層於第二磊晶基極層上。將TEOS層定義圖案以裸露部分第二磊晶基極層，並形成多矽射即曾於第二磊晶基極層和TEOS層上。並將多矽射極層及TEOS層圖案化，以裸露出部分第二磊晶基極層。並進行離子植入，以形成外徵基極。將部分磊晶基極層及第一磊晶基極層定義圖案，裸露出第一氧化層_x000D_ _x000D_
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	張順賢
電話	03-5913917
傳真	(空)
電子信箱	shchang@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形	(空)

序號

751

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

一種磊晶基極的雙極性電晶體製程

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵技術四年計畫

專利發明人

李傳英

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6589849

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

一種具磊晶基極的雙極性電晶體製程包含：形成埋入層於底材中，形成並對第一氧化層圖案化於埋入層上，裸露部分埋入層。以第一磊晶製程選擇性沉積磊晶集層於第一氧化層中，以覆蓋裸露的埋入層。並利用第二磊晶製程依序成長第一及第二磊晶集極層及第一氧化層上，且第二與第一磊晶製程係與同爐管中進行。然後形成TEOS層於第二磊晶基極層上。將TEOS層定義圖案以裸露部分第二磊晶基極層，並形成多矽射即曾於第二磊晶基極層和TEOS層上。並將多矽射極層及TEOS層圖案化，以裸露出部分第二磊晶基極層。並進行離子植入，以形成外徵基極。將部分磊晶基極層及第一磊晶基極層定義圖案，裸露出第一氧化層_x000D_ _x000D_

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

張順賢

電話

03-5913917

傳真

(空)

電子信箱

shchang@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

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溝槽式金氧半導體電晶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8835935 \| 專利期間起: 121/07/21 \| 專利期間訖: 一種溝槽式金氧半導體電晶體元件及其製造方法，其中所述溝槽式金氧半導體電晶體元件包括第一型基材、第一型漂移區、第二型深溝槽摻雜區、第二型磊晶區、溝槽式閘極、閘極絕緣層、源極區、汲極電極以及源極電極。第一... \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 103 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,陳永祥 ,顏誠廷 ,李傳英 @ 技術司專利資料集
溝槽式金氧半導體電晶體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I470802 \| 專利期間起: 104/01/21 \| 專利期間訖: 120/12/20 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 104 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,陳永祥 ,顏誠廷 ,李傳英 @ 技術司專利資料集
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接面位障蕭特基二極體嵌於金氧半場效電晶體單元陣列之整合元件	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I521718 \| 專利期間起: 105/02/11 \| 專利期間訖: 121/12/19 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,陳永祥 ,顏誠廷 ,李傳英 @ 技術司專利資料集
接面位障蕭特基二極體嵌於金氧半場效電晶體單元陣列之整合元件	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 9,209,293 \| 專利期間起: 104/12/08 \| 專利期間訖: 122/05/05 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 洪建中 ,陳永祥 ,顏誠廷 ,李傳英 @ 技術司專利資料集
蕭基能障二極體及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I521693 \| 專利期間起: 105/02/11 \| 專利期間訖: 121/11/26 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 智慧轉能/儲能系統驅控與管理模組技術開發計畫 \| 專利發明人: 顏誠廷 ,朱冠維 ,李隆盛 ,李傳英 @ 技術司專利資料集
半導體結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I521570 \| 專利期間起: 105/02/11 \| 專利期間訖: 122/09/26 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院資通所 \| 產出年度: 105 \| 計畫名稱: 智慧轉能/儲能系統驅控與管理模組技術開發計畫 \| 專利發明人: 李隆盛 ,李傳英 @ 技術司專利資料集

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相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I338392 \| 專利期間起: 100/03/01 \| 專利期間訖: 118/04/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,888,155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7888155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
MRAM 元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current \| 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。 @ 技術司可移轉技術資料集
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... \| 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
相變化薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 \| 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
高介電值閘極介電物技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 @ 技術司可移轉技術資料集
相變化記憶體元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 \| 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大 @ 技術司可移轉技術資料集

相變化記憶體元件及其製造方法

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相變化記憶體元件及其製造方法

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相變化記憶體元件及其製造方法

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MRAM 元件製程技術

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用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

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相變化薄膜製程技術

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高介電值閘極介電物技術

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相變化記憶體元件與製程技術

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姓名李傳英找到的公司登記或商業登記

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公司地址	負責人	統一編號	狀態
素家豆漿店新北市新莊區中正路251巷2號	李傳英	30289726	核准設立 - 獨資

素家豆漿店

登記地址: 新北市新莊區中正路251巷2號 | 負責人: 李傳英 | 統編: 30289726 | 核准設立 - 獨資

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整合影像顯示之體溫計	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 200916 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 專利發明人: 李宗昇, 陳龍德, 曾國華, 吳家興
電鍍金屬導線製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206682 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃俊堯, 陳政忠, 吳永富, 蔡政宏, 喬傳國, 朱芳村
場發射顯示器之支撐柱挾持結構與方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 202592 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 林偉義, 蕭名君, 陳盈憲, 曾企民, 蕭雲嬌
利用TIO2層製作擴散式反射板	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206687 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖奇璋, 陳明道, 黃良瑩, 翁逸君, 吳耀庭, 蔡明郎, 溫俊祥, 林顯光
具無機及有機功能性構裝基板	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 196534 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 吳仕先, 李明林, 賴信助
奈米碳管閘極之電晶體結構與製程	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 222742 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 魏拯華, 陳信輝, 賴明駿, 王宏祥, 高明哲
元件轉貼之方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 221010 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳昱丞, 王文通, 張榮芳, 湯景萱
多層互補式導線結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220775 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 陳昱丞, 陳麒麟
以矽為基材之微機電射頻開關製作方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220142 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 邱景宏, 顏凱翔, 陳振頤
覆晶構裝接合結構及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 222725 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃元璋
於基板上形成空間支撐物的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 223307 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 李正中, 何家充, 蕭名君
具內藏電容之基板結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 205395 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 專利發明人: 鍾佩翰, 李明林, 賴信助, 吳仕先, 張慧如, 鄭玉美
塑膠基板彩色濾光片製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206792 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 黃良瑩, 詹景翔, 何家充, 廖奇璋, 辛隆賓
熱傳增益之三維晶片堆疊構裝架構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 220305 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 專利發明人: 呂芳俊, 游善溥, 陳守龍, 林志榮, 李榮賢, 范榮昌
液晶顯示器製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 223113 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 專利發明人: 廖奇璋, 林英哲, 翁逸君, 許家榮, 辛隆賓, 劉康弘, 詹景翔, 沙益安, 黃鑫茂

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