相變化記憶體元件及其製造方法
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專利名稱-中文相變化記憶體元件及其製造方法的核准國家是美國, 證書號碼是7888155, 專利期間起是100/02/15, 專利期間訖是118/07/31, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電光所, 產出年度是100, 計畫名稱是固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫, 專利發明人是FREDERICKT.CHEN.

序號	8332
產出年度	100
領域別	電資通光
專利名稱-中文	相變化記憶體元件及其製造方法
執行單位	工研院電光所
產出單位	工研院電光所
計畫名稱	固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫
專利發明人	FREDERICKT.CHEN
核准國家	美國
獲證日期	100/03/10
證書號碼	7888155
專利期間起	100/02/15
專利期間訖	118/07/31
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括：一第一電極形成於一基板；一第一介電層形成於該第一電極之上，其中該第一介電層具有一開口，且該開口露出該第一電極之一上表面；一柱狀結構直接形成該第一電極上，並位於該開口內；一內相變化材料層環繞該柱狀結構，並直接接觸該第一電極；一第二介電層環繞該內相變化材料層；一外相變化材料層環繞該第二介電層；一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間，並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層；以及，一第二電極直接形成於該柱狀結構之上，並直接接觸該內相
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	張順賢
電話	03-5913917
傳真	03-5917690
電子信箱	shchang@itri.org.tw
參考網址	(空)
備註	(空)
特殊情形	(空)

序號

8332

產出年度

100

領域別

電資通光

專利名稱-中文

相變化記憶體元件及其製造方法

執行單位

工研院電光所

產出單位

工研院電光所

計畫名稱

固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫

專利發明人

FREDERICKT.CHEN

核准國家

美國

獲證日期

100/03/10

證書號碼

7888155

專利期間起

100/02/15

專利期間訖

118/07/31

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明提供一種相變化記憶體元件及其製造方法。該相變化記憶體元件包括：一第一電極形成於一基板；一第一介電層形成於該第一電極之上，其中該第一介電層具有一開口，且該開口露出該第一電極之一上表面；一柱狀結構直接形成該第一電極上，並位於該開口內；一內相變化材料層環繞該柱狀結構，並直接接觸該第一電極；一第二介電層環繞該內相變化材料層；一外相變化材料層環繞該第二介電層；一相變化材料橋接形成於該第二介電層及該第一電極之間，並連結該內相變化材料層及該外相變化材料層；以及，一第二電極直接形成於該柱狀結構之上，並直接接觸該內相

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

張順賢

電話

03-5913917

傳真

03-5917690

電子信箱

shchang@itri.org.tw

參考網址

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備註

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相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I338392 \| 專利期間起: 100/03/01 \| 專利期間訖: 118/04/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,888,155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集

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記憶體單元之讀取方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,184,491 \| 專利期間起: 101/05/22 \| 專利期間訖: 119/08/26 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
電阻切換式記憶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8,198,620 \| 專利期間起: 101/06/21 \| 專利期間訖: 119/09/26 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN \| 蔡銘進 \| 陳維恕 \| 李亨元 @ 技術司專利資料集
記憶體單元之讀取方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8184491 \| 專利期間起: 101/05/22 \| 專利期間訖: 119/08/26 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
電阻切換式記憶體	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 8198620 \| 專利期間起: 101/06/21 \| 專利期間訖: 119/09/26 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 101 \| 計畫名稱: 3D積體電路關鍵技術及應用發展計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN \| 蔡銘進 \| 陳維恕 \| 李亨元 @ 技術司專利資料集

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MRAM 元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current \| 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。 @ 技術司可移轉技術資料集
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... \| 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
相變化薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 \| 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
高介電值閘極介電物技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 @ 技術司可移轉技術資料集
相變化記憶體元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 \| 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大 @ 技術司可移轉技術資料集
應變矽CMOS元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽鍺虛擬基材製程技術開發 - 膜厚 < 1.0um, 線穿缺陷密度 < 104~5/cm2 載子移動率增效 – 電子 > 60%, 電洞> 60% \| 潛力預估: 本技術是High-k具潛力的CMOS前瞻技術 @ 技術司可移轉技術資料集

MRAM 元件製程技術

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用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技

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相變化薄膜製程技術

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高介電值閘極介電物技術

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相變化記憶體元件與製程技術

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應變矽CMOS元件與製程技術

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空調裝置	核准國家: 日本 \| 證書號碼: 3100589 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 江旭政 \| 王啟川 \| 顏銘志
空調裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 218641 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 江旭政 \| 王啟川 \| 顏銘志
熱塑性材料與功能性陶瓷粉末熱壓製作化學濾網方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 202601 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 賀遵火 \| 江旭政
過程現場總線(PROFIBUS)之泛用通訊介面卡	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I224274 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 陳婉珮 \| 方志行 \| 黃文楠
空氣淨化裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL03209118.4 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 王茂榮 \| 龍海蒂
空氣清淨裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: M242211 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 電機產業關鍵技術發展三年計畫 \| 專利發明人: 洪劍長 \| 江旭政 \| 賀遵火
廢水回收之前處理系統與方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 188085 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 張振章 \| 林士正 \| 蔡幸芬
海水或滷水中鋰離子濃縮方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192177 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 吳宗杰 \| 林俊仁 \| 許哲源 \| 江玉琳
二氧化碳超臨界流萃取天然氨基酸之製造法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195746 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 劉致中 \| 林俊仁 \| 許哲源
化學機制控制型高濃度臭氧/反應液體產生系統及方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 197106 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 金光祖 \| 陳秋美
從滷水生產鋰濃縮液的方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 203406 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 張怡隆 \| 江玉琳 \| 許哲源 \| 林俊仁
從滷水生產鋰濃縮液的方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6,764,584 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 張怡隆 \| 江玉琳 \| 許哲源 \| 林俊仁
用於鋰離子電池之正極的改質鋰鈷氧化物，其製備方法及鋰離子電池	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 192322 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 李日琪 \| 林俊仁 \| 許哲源
四氧化三鈷之低溫合成方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 206821 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院能資所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 永續資源技術開發三年計畫 \| 專利發明人: 李日琪 \| 許哲源 \| 林俊仁
半固態金屬射出成形之方法與裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 189315 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 彭暄 \| 蔡浪富 \| 梁沐旺 \| 徐文敏 \| 賴根賢 \| 胡立德

相變化記憶體元件及其製造方法 - 技術司專利資料集 @ 經濟部

序號

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專利名稱-中文

執行單位

產出單位

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