視覺化彩色處理及對色技術
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文視覺化彩色處理及對色技術的執行單位是工研院光電所, 產出年度是93, 計畫名稱是工研院通訊與光電領域環境建構計畫, 技術規格是‧半自動喜好色調處理技術:平均色差 △E*ab≦10。 喜好色處理功能:選擇色調整Lab、色相(0~3600)、飽和度(0~100)、亮度(0~100)。可選擇特定色調整,如膚色、藍天、綠地,白色等。 ‧影像關聯彩色適應性處理技術:平均色差 △E*ab≦10。色分類≧10,分類法:mean shi..., 潛力預估是‧積極研發以軟體為主的視覺化彩色處理技術,可以運用於影像處理IC上有助於整體工業的完整發展,並提昇產品附加價值。 ‧預期在資訊產品之產業效益≧壹億元/年(LCD用IC, DSC用IC, MFP用IC等。.

序號32
產出年度93
技術名稱-中文視覺化彩色處理及對色技術
執行單位工研院光電所
產出單位(空)
計畫名稱工研院通訊與光電領域環境建構計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文此技術是以模擬人眼視覺特性來進行色彩處理及對色,包含以下兩個重點:(1)半自動喜好色調處理技術:可在視窗畫面下進行喜好色調之選擇及影像色調處理,色相、彩度、亮度都可變化。超色域之色彩可以平滑壓縮,色調變化柔和(專利審核中)。(2)影像關聯彩色適應性處理技術:以色彩平衡技術、視覺化彩色影像增強技術功能來呈現此技術。以mean shift分類決定高現色差,進行視覺色彩平衡之補償處理,影像有效增強但不會跳色。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格‧半自動喜好色調處理技術:平均色差 △E*ab≦10。 喜好色處理功能:選擇色調整Lab、色相(0~3600)、飽和度(0~100)、亮度(0~100)。可選擇特定色調整,如膚色、藍天、綠地,白色等。 ‧影像關聯彩色適應性處理技術:平均色差 △E*ab≦10。色分類≧10,分類法:mean shift,可補償高現色彩。
技術成熟度此技術已接近市場直接應用的階段,廠商可稍加修改後,即可直接運用在資訊週邊產品上。
可應用範圍‧彩色光資訊產品:數位相機、DVC、彩色印表機、多功能事務機(MFP)、顯示器之影像乳處理IC及系統影像處理軟體。 ‧彩色影像多媒體:彩色影像處理軟體、2D/3D彩色數位圖像系統之對色及調色。 ‧數位配色(知識服務產業:化妝、服飾等):數位調色及色彩模擬。
潛力預估‧積極研發以軟體為主的視覺化彩色處理技術,可以運用於影像處理IC上有助於整體工業的完整發展,並提昇產品附加價值。 ‧預期在資訊產品之產業效益≧壹億元/年(LCD用IC, DSC用IC, MFP用IC等。
聯絡人員陳泰元
電話03-5918309
傳真03-5833190
電子信箱tychen@itri.org.tw
參考網址(空)
所須軟硬體設備設備:個人電腦、數位相機、彩色印表機、色彩量測儀、標準色票、標準光源。
需具備之專業人才具影像處理及軟體程式設計專業技術。

序號

32

產出年度

93

技術名稱-中文

視覺化彩色處理及對色技術

執行單位

工研院光電所

產出單位

(空)

計畫名稱

工研院通訊與光電領域環境建構計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

此技術是以模擬人眼視覺特性來進行色彩處理及對色,包含以下兩個重點:(1)半自動喜好色調處理技術:可在視窗畫面下進行喜好色調之選擇及影像色調處理,色相、彩度、亮度都可變化。超色域之色彩可以平滑壓縮,色調變化柔和(專利審核中)。(2)影像關聯彩色適應性處理技術:以色彩平衡技術、視覺化彩色影像增強技術功能來呈現此技術。以mean shift分類決定高現色差,進行視覺色彩平衡之補償處理,影像有效增強但不會跳色。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

‧半自動喜好色調處理技術:平均色差 △E*ab≦10。 喜好色處理功能:選擇色調整Lab、色相(0~3600)、飽和度(0~100)、亮度(0~100)。可選擇特定色調整,如膚色、藍天、綠地,白色等。 ‧影像關聯彩色適應性處理技術:平均色差 △E*ab≦10。色分類≧10,分類法:mean shift,可補償高現色彩。

技術成熟度

此技術已接近市場直接應用的階段,廠商可稍加修改後,即可直接運用在資訊週邊產品上。

可應用範圍

‧彩色光資訊產品:數位相機、DVC、彩色印表機、多功能事務機(MFP)、顯示器之影像乳處理IC及系統影像處理軟體。 ‧彩色影像多媒體:彩色影像處理軟體、2D/3D彩色數位圖像系統之對色及調色。 ‧數位配色(知識服務產業:化妝、服飾等):數位調色及色彩模擬。

潛力預估

‧積極研發以軟體為主的視覺化彩色處理技術,可以運用於影像處理IC上有助於整體工業的完整發展,並提昇產品附加價值。 ‧預期在資訊產品之產業效益≧壹億元/年(LCD用IC, DSC用IC, MFP用IC等。

聯絡人員

陳泰元

電話

03-5918309

傳真

03-5833190

電子信箱

tychen@itri.org.tw

參考網址

(空)

所須軟硬體設備

設備:個人電腦、數位相機、彩色印表機、色彩量測儀、標準色票、標準光源。

需具備之專業人才

具影像處理及軟體程式設計專業技術。

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彩色多功能噴墨事務機系統

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ADF:20pages。 ‧掃描方式:Color CCD。 ‧文稿實度:148~218mm。 ‧列印解析度:2400(H)×1200dpi(V)。 ‧列印速度:17ppm(Black;Draft)、... | 潛力預估: 多功能事務機在市場價格日漸降低的同時,正顯示其潛力正日漸上漲中,預期至2004年產量可達1,370萬台,成長為12.85%。

@ 技術司可移轉技術資料集

噴墨印表機/傳真機ASIC開發技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧工作頻率:48MHz。 ‧資料匯流排:32位元。 ‧電源:3.3V。 ‧DRAM控制電路:最大可控制8MB。 ‧適用噴墨頭:HP51645、C1823,Lexmark12A1970、15M0120等... | 潛力預估: 噴墨印表機價格低廉,又可滿足彩色化的列印,使用噴墨印表機來作相片的列印,受到個人及家庭市場的喜愛,且市場規模龐大,已成為市場銷售的主力產品;預計2006年產量可達6,735萬台,複合年成長率為3.2%...

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單色/彩色熱氣泡噴墨式印頭

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧解析度:300dpi/600dpi。 ‧噴墨體積:5pl~120pl。 ‧工作頻率:5~12KHZ(單色):3~18KHZ(彩色)。 | 潛力預估: ‧ 目前國內噴墨印頭廠創造總產值每年新台幣16億元,持續成長中。 ‧ 可以噴墨印頭技術為基礎,開發各項工業應用及製造技術(如Color Filter、PLED、Bio Chip、Fuel Inject...

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圖文分離技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Clock rate: 10MHz(Max.). ‧Scan speed: 5 ms/line(Max.). ‧Document size: B4(Max.). ‧Voltage: 5V。 ‧Hal... | 潛力預估: 在需要影像處理為基礎的產業中,本技術能夠使之具備較佳品質的關鍵角色。

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色彩修正晶片模組

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 圖素輸入匯流排線寬度:8Bits。 ‧ 圖素輸出匯流排線寬度:8Bits。 ‧ 每色彩圖素處理時間:20 cck cycle。 ‧ 支援RGB色座標與KCMY色座標轉換。 ‧ 使用17×17×1... | 潛力預估: 該相關技術在彩色印表機及多功能事務機領域是決定列印品質優劣的決戰項目之一。

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彩色多功能事務機晶片組

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 列印解析度:最高2,400×1,200dpi。 ‧ 列印速度:最快17ppm。 ‧ 列印色階:最高4,913色。 ‧ 光學解析度:Up to 1,200dpi。 ‧ CCD掃描速度:Up to 5... | 潛力預估: 配合多功能事務機,落實本土發展,技術生根的原則,能提供給國內完整的配套Solution。

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工業噴印平台設計

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Drop on Demand、Step Patterning、Printing on the fly快速列印技術。 ‧ Pixel修補列印技術(Patch Process)。 ‧ 墨點自動分析系統... | 潛力預估: 本技術可應用於多種領域,如TFTs配向膜/彩色濾光片/液晶填充製程應用/PLED製程應用/印刷電路版/封裝產業/光電元件製程應用…。

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熱氣泡式燃油噴射霧化器

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 操作環境溫度:-15℃~ -60℃。 ‧ 單體噴嘴出口壓力:0~-0.1kg/cm2。 ‧ 噴射油滴直徑: | 潛力預估: 當前全球機車年產量約為2300萬輛/年,台灣機車年產量約為110萬輛/年,且中國大陸機車年產量約為900萬輛/年,預計可創造每年新台幣15億以上的產值。

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彩色多功能噴墨事務機系統

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ADF:20pages。 ‧掃描方式:Color CCD。 ‧文稿實度:148~218mm。 ‧列印解析度:2400(H)×1200dpi(V)。 ‧列印速度:17ppm(Black;Draft)、... | 潛力預估: 多功能事務機在市場價格日漸降低的同時,正顯示其潛力正日漸上漲中,預期至2004年產量可達1,370萬台,成長為12.85%。

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噴墨印表機/傳真機ASIC開發技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧工作頻率:48MHz。 ‧資料匯流排:32位元。 ‧電源:3.3V。 ‧DRAM控制電路:最大可控制8MB。 ‧適用噴墨頭:HP51645、C1823,Lexmark12A1970、15M0120等... | 潛力預估: 噴墨印表機價格低廉,又可滿足彩色化的列印,使用噴墨印表機來作相片的列印,受到個人及家庭市場的喜愛,且市場規模龐大,已成為市場銷售的主力產品;預計2006年產量可達6,735萬台,複合年成長率為3.2%...

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單色/彩色熱氣泡噴墨式印頭

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧解析度:300dpi/600dpi。 ‧噴墨體積:5pl~120pl。 ‧工作頻率:5~12KHZ(單色):3~18KHZ(彩色)。 | 潛力預估: ‧ 目前國內噴墨印頭廠創造總產值每年新台幣16億元,持續成長中。 ‧ 可以噴墨印頭技術為基礎,開發各項工業應用及製造技術(如Color Filter、PLED、Bio Chip、Fuel Inject...

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圖文分離技術

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧Clock rate: 10MHz(Max.). ‧Scan speed: 5 ms/line(Max.). ‧Document size: B4(Max.). ‧Voltage: 5V。 ‧Hal... | 潛力預估: 在需要影像處理為基礎的產業中,本技術能夠使之具備較佳品質的關鍵角色。

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色彩修正晶片模組

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 圖素輸入匯流排線寬度:8Bits。 ‧ 圖素輸出匯流排線寬度:8Bits。 ‧ 每色彩圖素處理時間:20 cck cycle。 ‧ 支援RGB色座標與KCMY色座標轉換。 ‧ 使用17×17×1... | 潛力預估: 該相關技術在彩色印表機及多功能事務機領域是決定列印品質優劣的決戰項目之一。

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彩色多功能事務機晶片組

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 列印解析度:最高2,400×1,200dpi。 ‧ 列印速度:最快17ppm。 ‧ 列印色階:最高4,913色。 ‧ 光學解析度:Up to 1,200dpi。 ‧ CCD掃描速度:Up to 5... | 潛力預估: 配合多功能事務機,落實本土發展,技術生根的原則,能提供給國內完整的配套Solution。

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工業噴印平台設計

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代光資訊系統技術發展五年計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ Drop on Demand、Step Patterning、Printing on the fly快速列印技術。 ‧ Pixel修補列印技術(Patch Process)。 ‧ 墨點自動分析系統... | 潛力預估: 本技術可應用於多種領域,如TFTs配向膜/彩色濾光片/液晶填充製程應用/PLED製程應用/印刷電路版/封裝產業/光電元件製程應用…。

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熱氣泡式燃油噴射霧化器

執行單位: 工研院光電所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: ‧ 操作環境溫度:-15℃~ -60℃。 ‧ 單體噴嘴出口壓力:0~-0.1kg/cm2。 ‧ 噴射油滴直徑: | 潛力預估: 當前全球機車年產量約為2300萬輛/年,台灣機車年產量約為110萬輛/年,且中國大陸機車年產量約為900萬輛/年,預計可創造每年新台幣15億以上的產值。

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10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm | 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化,增加市場競爭力

電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

微鰭片散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 | 潛力預估: 應用潛力中

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

室溫熱像儀驅動顯示控制技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)畫面速率 30Hz (2)視訊 NTSC標準 | 潛力預估: 應用潛力中等

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ,薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等

類LIGA電鑄模技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材質:矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格:3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... | 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高

光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um | 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高

低應力電鑄金屬膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω | 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... | 潛力預估: 潛力中等

原子力顯微探針

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam:width 50μm Cantilever beam:length 450μm Can... | 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240 pixel size=500μm X 500μm 250 nits spacer=100 μm | 潛力預估: 有助於顯示器產品技術多元化,增加市場競爭力

電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

微鰭片散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 | 潛力預估: 應用潛力中

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

室溫熱像儀驅動顯示控制技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)畫面速率 30Hz (2)視訊 NTSC標準 | 潛力預估: 應用潛力中等

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ,薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等

類LIGA電鑄模技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材質:矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格:3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... | 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高

光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um | 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高

低應力電鑄金屬膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω | 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... | 潛力預估: 潛力中等

原子力顯微探針

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam:width 50μm Cantilever beam:length 450μm Can... | 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高

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