冷凍管封膜機
- 技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文冷凍管封膜機的執行單位是食品所, 產出年度是94, 計畫名稱是食品所創新前瞻技術研究計畫, 技術規格是冷凍保存管封膜機原型機, 潛力預估是所開發之冷凍保存管封膜機已獲多國專利,目前國內並無類似產品.

序號905
產出年度94
技術名稱-中文冷凍管封膜機
執行單位食品所
產出單位(空)
計畫名稱食品所創新前瞻技術研究計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文冷凍保存管封膜機原型機
技術現況敘述-英文(空)
技術規格冷凍保存管封膜機原型機
技術成熟度原型機及專利
可應用範圍醫療、生物科技等相關產業
潛力預估所開發之冷凍保存管封膜機已獲多國專利,目前國內並無類似產品
聯絡人員黃效民
電話03-5223191-776
傳真03-5214016
電子信箱hsm@firdi.org.tw
參考網址http://www.firdi.org.tw
所須軟硬體設備機械製造
需具備之專業人才生物技術及機械相關背景

序號

905

產出年度

94

技術名稱-中文

冷凍管封膜機

執行單位

食品所

產出單位

(空)

計畫名稱

食品所創新前瞻技術研究計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

冷凍保存管封膜機原型機

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

冷凍保存管封膜機原型機

技術成熟度

原型機及專利

可應用範圍

醫療、生物科技等相關產業

潛力預估

所開發之冷凍保存管封膜機已獲多國專利,目前國內並無類似產品

聯絡人員

黃效民

電話

03-5223191-776

傳真

03-5214016

電子信箱

hsm@firdi.org.tw

參考網址

http://www.firdi.org.tw

所須軟硬體設備

機械製造

需具備之專業人才

生物技術及機械相關背景

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冷凍管封膜機

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: M271816 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 食品所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 食品所創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃效民 | 高宜廷 | 蔡陳德 | 王漢聰

@ 技術司專利資料集

冷凍管封膜機

核准國家: 韓國 | 證書號碼: 396964 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 食品所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 食品所創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃效民 | 高宜廷 | 蔡陳德 | 王漢聰

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冷凍管封膜機

核准國家: 日本 | 證書號碼: 3109828 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 食品所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 食品所創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃效民 | 高宜廷 | 蔡陳德 | 王漢聰

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冷凍管封膜機

核准國家: 澳洲 | 證書號碼: 2005100479 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 食品所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 食品所創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃效民 | 高宜廷 | 陳欣怡 | 王漢聰 | 蔡陳德

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冷凍管封膜機

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200420116685.8 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 食品所 | 產出年度: 95 | 計畫名稱: 食品所創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃效民 | 高宜廷 | 陳欣怡 | 蔡陳德 | 王漢聰

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冷凍管封膜機

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: M271816 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 食品所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 食品所創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃效民 | 高宜廷 | 蔡陳德 | 王漢聰

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冷凍管封膜機

核准國家: 韓國 | 證書號碼: 396964 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 食品所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 食品所創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃效民 | 高宜廷 | 蔡陳德 | 王漢聰

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冷凍管封膜機

核准國家: 日本 | 證書號碼: 3109828 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 食品所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 食品所創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃效民 | 高宜廷 | 蔡陳德 | 王漢聰

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冷凍管封膜機

核准國家: 澳洲 | 證書號碼: 2005100479 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 食品所 | 產出年度: 94 | 計畫名稱: 食品所創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃效民 | 高宜廷 | 陳欣怡 | 王漢聰 | 蔡陳德

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冷凍管封膜機

核准國家: 中國大陸 | 證書號碼: ZL200420116685.8 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 新型 | 執行單位: 食品所 | 產出年度: 95 | 計畫名稱: 食品所創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 黃效民 | 高宜廷 | 陳欣怡 | 蔡陳德 | 王漢聰

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電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

微鰭片散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 | 潛力預估: 應用潛力中

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

室溫熱像儀驅動顯示控制技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)畫面速率 30Hz (2)視訊 NTSC標準 | 潛力預估: 應用潛力中等

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ,薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等

類LIGA電鑄模技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材質:矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格:3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... | 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高

光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um | 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高

低應力電鑄金屬膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω | 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... | 潛力預估: 潛力中等

原子力顯微探針

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam:width 50μm Cantilever beam:length 450μm Can... | 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高

平面光波導製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Thickness U% | 潛力預估: 各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1*N splitter AWG module,未來發展潛力高

電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

微鰭片散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 | 潛力預估: 應用潛力中

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

室溫熱像儀驅動顯示控制技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: (1)畫面速率 30Hz (2)視訊 NTSC標準 | 潛力預估: 應用潛力中等

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ,薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等

類LIGA電鑄模技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材質:矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格:3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... | 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高

光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um | 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高

低應力電鑄金屬膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω | 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... | 潛力預估: 潛力中等

原子力顯微探針

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam:width 50μm Cantilever beam:length 450μm Can... | 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高

平面光波導製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Thickness U% | 潛力預估: 各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1*N splitter AWG module,未來發展潛力高

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