高功率LED散熱塗裝粉體技術
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技術名稱-中文高功率LED散熱塗裝粉體技術的執行單位是工研院南分院, 產出年度是97, 計畫名稱是南部產業關鍵技術計畫, 技術規格是1.)具靜電消散導電度(~ 5.5*106 W/cm2) 2.)紅外線輻射發射率>98%。 3.)抗腐蝕性與表面硬度、耐磨耗性提升。 4.)含PU、Epoxy、PMMA、Teflon系樹酯等多種選擇。, 潛力預估是可應用於LED照明、太陽電池等散熱塗層.

序號2590
產出年度97
技術名稱-中文高功率LED散熱塗裝粉體技術
執行單位工研院南分院
產出單位(空)
計畫名稱南部產業關鍵技術計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文1.)運用奈米碳球塗料技術，開發出高效能紅外線輻射散熱塗料。 2.)藉添加少量奈米碳球之塗層具有導電(抗靜電)、導熱、與輻射冷卻效果，可應用於自然散熱，靜電消散，電磁屏蔽、自由基防護(防蝕)等。 3.)技術特點在於藉紅外線輻射散熱方式，是一種簡易便宜之散熱方法。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格1.)具靜電消散導電度(~ 5.5*106 W/cm2) 2.)紅外線輻射發射率>98%。 3.)抗腐蝕性與表面硬度、耐磨耗性提升。 4.)含PU、Epoxy、PMMA、Teflon系樹酯等多種選擇。
技術成熟度實驗室階段
可應用範圍LED散熱燈罩、太陽電池模組散熱、紅外線熱傳遞模組、均溫加熱裝置
潛力預估可應用於LED照明、太陽電池等散熱塗層
聯絡人員汪仲仁
電話06-3847494
傳真06-3847288
電子信箱chungzen@itri.org.tw
參考網址http://newwww.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040
所須軟硬體設備化學反應槽、混合槽
需具備之專業人才化學、化工或高分子材料
同步更新日期2024-09-03

序號

2590

產出年度

97

技術名稱-中文

高功率LED散熱塗裝粉體技術

執行單位

工研院南分院

產出單位

(空)

計畫名稱

南部產業關鍵技術計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

1.)運用奈米碳球塗料技術，開發出高效能紅外線輻射散熱塗料。 2.)藉添加少量奈米碳球之塗層具有導電(抗靜電)、導熱、與輻射冷卻效果，可應用於自然散熱，靜電消散，電磁屏蔽、自由基防護(防蝕)等。 3.)技術特點在於藉紅外線輻射散熱方式，是一種簡易便宜之散熱方法。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

1.)具靜電消散導電度(~ 5.5*106 W/cm2) 2.)紅外線輻射發射率>98%。 3.)抗腐蝕性與表面硬度、耐磨耗性提升。 4.)含PU、Epoxy、PMMA、Teflon系樹酯等多種選擇。

技術成熟度

實驗室階段

可應用範圍

LED散熱燈罩、太陽電池模組散熱、紅外線熱傳遞模組、均溫加熱裝置

潛力預估

可應用於LED照明、太陽電池等散熱塗層

聯絡人員

汪仲仁

電話

06-3847494

傳真

06-3847288

電子信箱

chungzen@itri.org.tw

參考網址

http://newwww.itri.org.tw/chi/tech-transfer/01.asp?RootNodeId=040&NodeId=041&NavRootNodeId=040

所須軟硬體設備

化學反應槽、混合槽

需具備之專業人才

化學、化工或高分子材料

同步更新日期

2024-09-03

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耐高溫多元高性能合金技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.600℃ Hv>350 2.抗氧化率＞Stellite 6 | 潛力預估: 可應用於刀工模具、重機械構件、能源石油鑽探等重型機具的高溫耐磨抗氧化機件

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有機-無機混成漸變折射率多層膜技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)TiO2溶膠粒徑：10-30 nm，外觀：透明無色 2.)TiO2-Epoxy複合薄膜折射率：1.55-2.0，透光率：>90% 3.)可降低基材(FTO Glass， Si Wafer， et... | 潛力預估: 應用於光學元件、太陽能產業

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高功率LED導熱界面材料技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)具高導電度(~ 2*10-3 W/cm2) 2.)具良好熱傳導性～40W/mK。 3.)紅外線輻射發射率>98%。 4.)適用於平整性高之界面，膜厚～300nm，提升整體熱傳導量。 5.)樹酯為... | 潛力預估: 可應用於LED照明、太陽電池、電子紡織品業等所需之導熱元件或導熱塗層

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奈米粉體分散技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)分散度：< 200 nm 2.)固含量：> 1 wt % 3.)穩定度: > 3 months | 潛力預估: 可應用於奈米碳材流體或複合材料製備

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壓克力單體與熱穩定、低吸水性壓克力材料技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)DCPD氫甲醯化催化技術-製備TCD MAL，產率>90％，純度>90％。 2.)TCD-DAL氫化催化技術-製備TCD-MM， 產率>90％，純度>90％。 3.)高耐熱性壓克力單體改技術-製... | 潛力預估: 可應用於面板、太陽電池等光學元件所需之高耐熱壓克力材料

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光學級共聚酯研製試量產技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)光學級非晶系共聚酯研製Pilot Scale，~100 Liter 2.)IV>0.6 3.)Tg >120℃ 4.)透光度>88% 5.)鉛筆硬度>HB | 潛力預估: 可應用光學元件、太陽能產業

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自擴散型光導板/擴散板加工技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)穿透率可調控：60~92% 2.)霧度：5~90 % | 潛力預估: 可應用LED燈具、面板及光電相關業者

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耐高溫多元高性能合金技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.600℃ Hv>350 2.抗氧化率＞Stellite 6 | 潛力預估: 可應用於刀工模具、重機械構件、能源石油鑽探等重型機具的高溫耐磨抗氧化機件

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有機-無機混成漸變折射率多層膜技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)TiO2溶膠粒徑：10-30 nm，外觀：透明無色 2.)TiO2-Epoxy複合薄膜折射率：1.55-2.0，透光率：>90% 3.)可降低基材(FTO Glass， Si Wafer， et... | 潛力預估: 應用於光學元件、太陽能產業

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高功率LED導熱界面材料技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)具高導電度(~ 2*10-3 W/cm2) 2.)具良好熱傳導性～40W/mK。 3.)紅外線輻射發射率>98%。 4.)適用於平整性高之界面，膜厚～300nm，提升整體熱傳導量。 5.)樹酯為... | 潛力預估: 可應用於LED照明、太陽電池、電子紡織品業等所需之導熱元件或導熱塗層

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奈米粉體分散技術

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壓克力單體與熱穩定、低吸水性壓克力材料技術

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光學級共聚酯研製試量產技術

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自擴散型光導板/擴散板加工技術

執行單位: 工研院南分院 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 南部產業關鍵技術計畫 | 領域: | 技術規格: 1.)穿透率可調控：60~92% 2.)霧度：5~90 % | 潛力預估: 可應用LED燈具、面板及光電相關業者

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電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

微鰭片散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 | 潛力預估: 應用潛力中

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 | 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

室溫熱像儀驅動顯示控制技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 | 潛力預估: 應用潛力中等

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等

類LIGA電鑄模技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... | 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高

光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um | 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高

低應力電鑄金屬膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω | 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... | 潛力預估: 潛力中等

原子力顯微探針

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam：width 50μm Cantilever beam：length 450μm Can... | 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高

平面光波導製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Thickness U% <2% R/I=1.4598, U<+-0.0005 PSG, SiOxNy,GSG R/I =1.4645, U<+-0.0005 BPSG R/I =1.4598, U<... | 潛力預估: 各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1*N splitter AWG module,未來發展潛力高

電化學蝕刻停止技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 懸膜厚度尺寸變化在±1μm。 | 潛力預估: 有替代技術,應用潛力中等

鎳鈷及金微電鑄及製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Au : 24 cm (W) x 18(cm D) Ni : 25 cm (W) x 30 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被... | 潛力預估: 應用潛力高

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3 負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 應用潛力中

微鰭片散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: Fin Size < 0.3mm, Fin Height < 10.2mm, Aspect Ratio >35 | 潛力預估: 應用潛力中

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 | 潛力預估: 體型微加工重要技術,應用潛力高

室溫熱像儀驅動顯示控制技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: （1）畫面速率 30Hz （2）視訊 NTSC標準 | 潛力預估: 應用潛力中等

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ，薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 須搭配元件技術,應用潛力低

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ‧ 深寬比 > 3 | 潛力預估: 單一光罩製程,製程簡單,應用潛力中等

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um ‧ 蝕刻率 > 4 um/min ‧ 蝕刻垂直度 > 89度 ‧ 深寬比 > 30 | 潛力預估: 潛力中等

類LIGA電鑄模技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 材質：矽晶格方位 (100) P型(硼參雜) 阻值 1-20 Ωcm 規 格：3.5 mm × 1.7 mm (俯視圖) 接 觸 式懸浮臂長400 ± 10 μm 懸浮臂寬30 ± 5 μm 懸浮臂厚... | 潛力預估: 可應用於背光模組及LED之微透鏡及生物晶片製作,應用潛力高

光纖陣列晶片之V- groove精確蝕刻技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 4、8、16、32、48- channels fiber arrays ‧ fiber to fiber spacing : 250+-1um | 潛力預估: 取決於光通訊市場,未來潛力高

低應力電鑄金屬膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 工件尺寸(max.) – Ni - W : 8 cm (W) x 8 cm (D) Ni - Co: 20 cm (W) x 25 cm (D) ‧ 被鍍表面電阻值(max.) : 600Ω | 潛力預估: 可應用於LCD背光膜組之元件製作,潛力高

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Process Bulk Machining Electrode Material Pt Driving Voltag... | 潛力預估: 潛力中等

原子力顯微探針

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Item Specification Chip Material Silicon Cantilever beam：width 50μm Cantilever beam：length 450μm Can... | 潛力預估: 奈米技術應用,潛力高

平面光波導製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院精密製造與微機電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Thickness U% <2% R/I=1.4598, U<+-0.0005 PSG, SiOxNy,GSG R/I =1.4645, U<+-0.0005 BPSG R/I =1.4598, U<... | 潛力預估: 各種光通訊元件及生醫工程之微流道,1*N splitter AWG module,未來發展潛力高

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