核醫分子造影劑碘-123-ADAM之新產品技術
- 經濟部產業技術司可移轉技術資料集 @ 經濟部

技術名稱-中文核醫分子造影劑碘-123-ADAM之新產品技術的執行單位是核能研究所, 產出年度是100, 計畫名稱是放射藥理技術應用於新藥之開發四年計畫, 技術規格是本品為靜脈注射藥劑,包裝:無菌小瓶裝。每小瓶成分:酒精1.8ml,冰醋酸4μl,生理食鹽水7ml,123I-ADAM 50μg藥物。, 潛力預估是本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等.

序號4850
產出年度100
技術名稱-中文核醫分子造影劑碘-123-ADAM之新產品技術
執行單位核能研究所
產出單位(空)
計畫名稱放射藥理技術應用於新藥之開發四年計畫
領域(空)
已申請專利之國家(空)
已獲得專利之國家(空)
技術現況敘述-中文1. 已獲得中華民國專利1件(製程)。2.現階段情況:1.2006年已依照衛生署頒佈有關學術用臨床試驗許可供給成大、三總、北榮和長庚四家醫療院所以進行試驗。2.2006/6已完成ADAM的急性毒性試驗及ADAM亞急毒性試驗。3.本項產品技術已開發自動合成盒技術,持續開發以取代現行人工製備。4.2007年度陸續展開成大醫學中心及林口長庚醫學中心之學術用臨床試驗,2008年度已逐步結束相關試驗並證實本藥品具有優越的診斷造影效益,所累積臨床資料成為目前推動藥品查驗登記用臨床試驗重要參考資料。5.2009年自動生產盒技術獲我國以及美國專利,同期也簽訂CRO專業公司以執行本藥品於我國藥品查驗登記用臨床試驗業務。6. 2011年透過CRO專業公司已獲TFDA同意執行碘-123-ADAM之多醫療中心系統與第臨床二階段(phase II)之查驗登記用臨床試驗,預期上市可逐步創造產值達每年3仟萬元以上(國內)。
技術現況敘述-英文(空)
技術規格本品為靜脈注射藥劑,包裝:無菌小瓶裝。每小瓶成分:酒精1.8ml,冰醋酸4μl,生理食鹽水7ml,123I-ADAM 50μg藥物。
技術成熟度雛型
可應用範圍使用:本品為靜脈注射藥劑,于造影開始前4-6小時靜脈注射,成人 (70公斤計) 注射劑量為37MBq (5 mCi),應於製備藥物後48小時注射。主適應症:血清素轉運體核醫造影藥物。
潛力預估本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等
聯絡人員陳家杰
電話03-4711400#7101
傳真03-4711416
電子信箱chiehch@iner.gov.tw
參考網址http://www.iner.gov.tw/
所須軟硬體設備須符合衛生署cGMP規範
需具備之專業人才生技製藥相關背景
同步更新日期2024-09-03

序號

4850

產出年度

100

技術名稱-中文

核醫分子造影劑碘-123-ADAM之新產品技術

執行單位

核能研究所

產出單位

(空)

計畫名稱

放射藥理技術應用於新藥之開發四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

1. 已獲得中華民國專利1件(製程)。2.現階段情況:1.2006年已依照衛生署頒佈有關學術用臨床試驗許可供給成大、三總、北榮和長庚四家醫療院所以進行試驗。2.2006/6已完成ADAM的急性毒性試驗及ADAM亞急毒性試驗。3.本項產品技術已開發自動合成盒技術,持續開發以取代現行人工製備。4.2007年度陸續展開成大醫學中心及林口長庚醫學中心之學術用臨床試驗,2008年度已逐步結束相關試驗並證實本藥品具有優越的診斷造影效益,所累積臨床資料成為目前推動藥品查驗登記用臨床試驗重要參考資料。5.2009年自動生產盒技術獲我國以及美國專利,同期也簽訂CRO專業公司以執行本藥品於我國藥品查驗登記用臨床試驗業務。6. 2011年透過CRO專業公司已獲TFDA同意執行碘-123-ADAM之多醫療中心系統與第臨床二階段(phase II)之查驗登記用臨床試驗,預期上市可逐步創造產值達每年3仟萬元以上(國內)。

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

本品為靜脈注射藥劑,包裝:無菌小瓶裝。每小瓶成分:酒精1.8ml,冰醋酸4μl,生理食鹽水7ml,123I-ADAM 50μg藥物。

技術成熟度

雛型

可應用範圍

使用:本品為靜脈注射藥劑,于造影開始前4-6小時靜脈注射,成人 (70公斤計) 注射劑量為37MBq (5 mCi),應於製備藥物後48小時注射。主適應症:血清素轉運體核醫造影藥物。

潛力預估

本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

聯絡人員

陳家杰

電話

03-4711400#7101

傳真

03-4711416

電子信箱

chiehch@iner.gov.tw

參考網址

http://www.iner.gov.tw/

所須軟硬體設備

須符合衛生署cGMP規範

需具備之專業人才

生技製藥相關背景

同步更新日期

2024-09-03

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執行單位: 核能研究所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本品為靜脈注射藥劑,包裝:無菌小瓶裝。每小瓶成分:酒精1.8ml,冰醋酸4μl,生理食鹽水7ml,123I-ADAM 50μg藥物。 | 潛力預估: 本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

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執行單位: 核能研究所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本品為靜脈注射藥劑,包裝:無菌小瓶裝。每小瓶成分:酒精1.8ml,冰醋酸4μl,生理食鹽水7ml,123I-ADAM 50μg藥物。 | 潛力預估: 本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

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執行單位: 核能研究所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 放射藥理技術應用於新藥之開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本品為靜脈注射藥劑,包裝:無菌小瓶裝。每小瓶成分:酒精1.8ml,冰醋酸4μl,生理食鹽水7ml,123I-ADAM 50μg藥物。 | 潛力預估: 本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

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執行單位: 核能研究所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 核醫功能與分子影像技術應用於新藥之開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本品為靜脈注射藥劑,包裝:無菌小瓶裝。每小瓶成分:酒精1.8ml,冰醋酸4μl,生理食鹽水7ml,123I-ADAM 50μg藥物。 | 潛力預估: 本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

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執行單位: 核能研究所 | 產出年度: 99 | 產出單位: | 計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本品為靜脈注射藥劑,包裝:無菌小瓶裝。每小瓶成分:酒精1.8ml,冰醋酸4μl,生理食鹽水7ml,123I-ADAM 50μg藥物。 | 潛力預估: 本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

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執行單位: 核能研究所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 放射藥理技術應用於新藥之開發四年計畫 | 領域: 民生福祉 | 技術規格: 本品為靜脈注射藥劑,包裝:無菌小瓶裝。每小瓶成分:酒精1.8ml,冰醋酸4μl,生理食鹽水7ml,123I-ADAM 50μg藥物。 | 潛力預估: 本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

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核醫分子造影劑碘-123-ADAM之新產品技術

執行單位: 核能研究所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本品為靜脈注射藥劑,包裝:無菌小瓶裝。每小瓶成分:酒精1.8ml,冰醋酸4μl,生理食鹽水7ml,123I-ADAM 50μg藥物。 | 潛力預估: 本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

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執行單位: 核能研究所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本品為靜脈注射藥劑,包裝:無菌小瓶裝。每小瓶成分:酒精1.8ml,冰醋酸4μl,生理食鹽水7ml,123I-ADAM 50μg藥物。 | 潛力預估: 本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

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執行單位: 核能研究所 | 產出年度: 102 | 產出單位: | 計畫名稱: 放射藥理技術應用於新藥之開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本品為靜脈注射藥劑,包裝:無菌小瓶裝。每小瓶成分:酒精1.8ml,冰醋酸4μl,生理食鹽水7ml,123I-ADAM 50μg藥物。 | 潛力預估: 本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

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執行單位: 核能研究所 | 產出年度: 95 | 產出單位: | 計畫名稱: 核醫功能與分子影像技術應用於新藥之開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本品為靜脈注射藥劑,包裝:無菌小瓶裝。每小瓶成分:酒精1.8ml,冰醋酸4μl,生理食鹽水7ml,123I-ADAM 50μg藥物。 | 潛力預估: 本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

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核醫分子造影劑碘-123-ADAM之新產品技術

執行單位: 核能研究所 | 產出年度: 101 | 產出單位: | 計畫名稱: 放射藥理技術應用於新藥之開發四年計畫 | 領域: | 技術規格: 本品為靜脈注射藥劑,包裝:無菌小瓶裝。每小瓶成分:酒精1.8ml,冰醋酸4μl,生理食鹽水7ml,123I-ADAM 50μg藥物。 | 潛力預估: 本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

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腦血清素受體造影劑鎝-99m-DWAY之新產品技術

執行單位: 核能研究所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫 | 領域: | 技術規格: 預期本品為靜脈注射藥劑,其配方及製程正發展中。 | 潛力預估: 本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

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腦血清素受體造影劑鎝-99m-DWAY之新產品技術

執行單位: 核能研究所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫 | 領域: | 技術規格: 預期本品為靜脈注射藥劑,其配方及製程正發展中。 | 潛力預估: 本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

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腦多巴胺受體造影劑碘-123-epidepride之新產品技術

執行單位: 核能研究所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫 | 領域: | 技術規格: 預期本品為靜脈注射藥劑,其配方及製程正發展中。 | 潛力預估: 本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

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腦類澱粉蛋白斑塊造影劑碘-123-IMPY新產品技術

執行單位: 核能研究所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫 | 領域: | 技術規格: 預期本品為靜脈注射藥劑,其配方及製程正發展中。 | 潛力預估: 本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

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腦血清素受體造影劑

執行單位: 核能研究所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫 | 領域: | 技術規格: 預期本品為靜脈注射藥劑,其配方及製程正發展中。 | 潛力預估: 本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

腦血清素受體造影劑鎝-99m-DWAY之新產品技術

執行單位: 核能研究所 | 產出年度: 96 | 產出單位: | 計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫 | 領域: | 技術規格: 預期本品為靜脈注射藥劑,其配方及製程正發展中。 | 潛力預估: 本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

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腦血清素受體造影劑鎝-99m-DWAY之新產品技術

執行單位: 核能研究所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫 | 領域: | 技術規格: 預期本品為靜脈注射藥劑,其配方及製程正發展中。 | 潛力預估: 本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

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腦多巴胺受體造影劑碘-123-epidepride之新產品技術

執行單位: 核能研究所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫 | 領域: | 技術規格: 預期本品為靜脈注射藥劑,其配方及製程正發展中。 | 潛力預估: 本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

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腦類澱粉蛋白斑塊造影劑碘-123-IMPY新產品技術

執行單位: 核能研究所 | 產出年度: 97 | 產出單位: | 計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫 | 領域: | 技術規格: 預期本品為靜脈注射藥劑,其配方及製程正發展中。 | 潛力預估: 本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

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腦血清素受體造影劑

執行單位: 核能研究所 | 產出年度: 98 | 產出單位: | 計畫名稱: 核醫分子影像技術應用於新藥之開發第二期四年計畫 | 領域: | 技術規格: 預期本品為靜脈注射藥劑,其配方及製程正發展中。 | 潛力預估: 本產品技術發展後將規劃進行查驗登記用臨床試驗及申請藥品許可證等

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無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3;負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ;深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress <= 100Mpa。 | 潛力預估: 穩定可量產

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率,降低生產成本

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification:Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_; 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_;蝕刻垂直度 > 89度;深寬比 > 30 | 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um(比雷射加工50 um要小很多);深寬比可達20。

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_;Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構,本製程技術為其解決方法。

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ;薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明:無鉛定義(未刻意添加下,材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%,鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、桌上型電腦,筆記型電腦、主機板、消...

基板內藏元件整合設計與模型庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作頻段:2.4GHz;新材料(εr≧38 | 潛力預估: 基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specificati... | 潛力預估: 基板內藏被動元件,可以取代傳統SMD元件,市場上具有龐大的商業潛力,依據市場知名市調公司PRISMARK預估,西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上,商機需求逐年擴增;且係通訊產品高...

3D基板式堆疊構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_;一步成型式導通孔技術 | 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展,除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小, 提升電子產品縮小化的效率外,更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中,而以最有效益的方式,達到System in Packa...

迴路型熱管散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域:45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小);傳輸距離30 cm | 潛力預估: 以真空硬銲方式接合,外觀與強度符合所需,蒸發端與冷凝端均為平面構造,易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...

無線生理訊號感測模組設計技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 類比訊號處理所需之電路設計技術_x000D_(3) | 潛力預估: (1) 無線訊號傳輸平台:Antenna Factor: 10dB、Reader: USB/RS-232/LCD Interface、RFID Frequency: 433 MHz / 915MHz、...

厚膜光阻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3;負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 | 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。

利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ;深寬比 > 3 | 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。

低應力薄膜製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: SIN Film Stress <= 100Mpa。 | 潛力預估: 穩定可量產

矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩(error<0.2度)。 | 潛力預估: 本製程可提升產品良率,降低生產成本

微氣體感測器

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 規格Specification:Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 | 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器

矽晶片蝕穿技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_; 蝕刻率 > 4 um/min_x000D_;蝕刻垂直度 > 89度;深寬比 > 30 | 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um(比雷射加工50 um要小很多);深寬比可達20。

矽晶深蝕刻製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_;Etching rate: 1~3um/min | 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構,本製程技術為其解決方法。

低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 製程溫度 : 300°C ;薄膜厚度 >2um | 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。

無鉛製程技術資訊平台建立

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明:無鉛定義(未刻意添加下,材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%,鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、桌上型電腦,筆記型電腦、主機板、消...

基板內藏元件整合設計與模型庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 工作頻段:2.4GHz;新材料(εr≧38 | 潛力預估: 基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等

射頻內藏被動元件之模型程式庫技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specificati... | 潛力預估: 基板內藏被動元件,可以取代傳統SMD元件,市場上具有龐大的商業潛力,依據市場知名市調公司PRISMARK預估,西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上,商機需求逐年擴增;且係通訊產品高...

3D基板式堆疊構裝技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_;一步成型式導通孔技術 | 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展,除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小, 提升電子產品縮小化的效率外,更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中,而以最有效益的方式,達到System in Packa...

迴路型熱管散熱技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域:45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小);傳輸距離30 cm | 潛力預估: 以真空硬銲方式接合,外觀與強度符合所需,蒸發端與冷凝端均為平面構造,易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步

無鉛製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 | 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量,衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品,諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...

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