以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法的核准國家是美國, 證書號碼是6713377, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是奈米電子關鍵技術四年計畫, 專利發明人是李傳英, 黃尊禧.

序號	734
產出年度	93
領域別	(空)
專利名稱-中文	以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	奈米電子關鍵技術四年計畫
專利發明人	李傳英 \| 黃尊禧
核准國家	美國
獲證日期	(空)
證書號碼	6713377
專利期間起	(空)
專利期間訖	(空)
專利性質	發明
技術摘要-中文	本發明案中提出三種利用無電鍍的製程，製作金屬連接導線以及銲錫隆點。第一種製程是利用作為無電鍍反應的催化層材料，此矽化鈀不需要活化步驟，即可進行無電鍍反應。製作方法是先將矽化鈀製作於擴散障礙層（20）上和附著層（30）上，再利用微影製程製作圖案其上後，接著再利用無電鍍沉積技術沉積鎳，鈀或銅於矽化鈀層之上，已形成金屬導線。_x000D_ 而本發明的第二種製程是利用無電鍍製程將金屬選擇性的沉積於附著層（130）上，此附著層上材料可以是複晶矽，鋁或是鈦。此製程先是利用光阻於附著層上製作出導線圖案，然後利用無電鍍製程選擇性的沉積金屬於附著層上，再將光阻去除後時刻多餘的附著層以形成金屬導線結構。本發明案所提出的第三種製程是製作焊錫熔點，此製程是先沉積一鋁金屬層（220）及擴散障礙層（220）於基材上，此擴散障礙層（230）在被經由是當的研磨處理及活化。再利用光阻於鋁金屬層（220）及擴散障礙層（230）之上製作出導線圖案，隨即進行無電鍍反應，使鎳或銅可以選擇性得沉積在擴散障礙層之上，最後即可於無電鍍金屬（240）層上製作銲錫隆點（250）_x000D_
技術摘要-英文	(空)
聯絡人員	張順賢
電話	03-5913917
傳真	(空)
電子信箱	shchang@itri.org.tw
參考網址	http://www.itri.org.tw
備註	原領域別為通訊光電，95年改為電資通光
特殊情形	(空)

序號

734

產出年度

領域別

(空)

專利名稱-中文

以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

奈米電子關鍵技術四年計畫

專利發明人

李傳英 | 黃尊禧

核准國家

美國

獲證日期

(空)

證書號碼

6713377

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

本發明案中提出三種利用無電鍍的製程，製作金屬連接導線以及銲錫隆點。第一種製程是利用作為無電鍍反應的催化層材料，此矽化鈀不需要活化步驟，即可進行無電鍍反應。製作方法是先將矽化鈀製作於擴散障礙層（20）上和附著層（30）上，再利用微影製程製作圖案其上後，接著再利用無電鍍沉積技術沉積鎳，鈀或銅於矽化鈀層之上，已形成金屬導線。_x000D_ 而本發明的第二種製程是利用無電鍍製程將金屬選擇性的沉積於附著層（130）上，此附著層上材料可以是複晶矽，鋁或是鈦。此製程先是利用光阻於附著層上製作出導線圖案，然後利用無電鍍製程選擇性的沉積金屬於附著層上，再將光阻去除後時刻多餘的附著層以形成金屬導線結構。本發明案所提出的第三種製程是製作焊錫熔點，此製程是先沉積一鋁金屬層（220）及擴散障礙層（220）於基材上，此擴散障礙層（230）在被經由是當的研磨處理及活化。再利用光阻於鋁金屬層（220）及擴散障礙層（230）之上製作出導線圖案，隨即進行無電鍍反應，使鎳或銅可以選擇性得沉積在擴散障礙層之上，最後即可於無電鍍金屬（240）層上製作銲錫隆點（250）_x000D_

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

張順賢

電話

03-5913917

傳真

(空)

電子信箱

shchang@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電，95年改為電資通光

特殊情形

(空)

根據識別碼 6713377 找到的相關資料

無其他 6713377 資料。

[ 搜尋所有 6713377 ... ]

根據名稱以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法找到的相關資料

以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法

@ 技術司專利資料集

以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法

@ 技術司專利資料集

[ 搜尋所有 以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法 ... ]

根據姓名李傳英黃尊禧找到的相關資料

無其他李傳英黃尊禧資料。

[ 搜尋所有 李傳英黃尊禧 ... ]

根據電話 03-5913917 找到的相關資料

(以下顯示 8 筆) (或要:直接搜尋所有 03-5913917 ...)

相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: I338392 \| 專利期間起: 100/03/01 \| 專利期間訖: 118/04/23 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7,888,155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
相變化記憶體元件及其製造方法	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 7888155 \| 專利期間起: 100/02/15 \| 專利期間訖: 118/07/31 \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院電光所 \| 產出年度: 100 \| 計畫名稱: 固態儲存關鍵技術開發及系統驗證四年計畫 \| 專利發明人: FREDERICKT.CHEN @ 技術司專利資料集
MRAM 元件製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 本技術包括磁性非揮發記憶體相關技術之研發，可使用於系統記憶體，具高密度(可達6-8F2)、高速度 (both read and write1015) 、省電(operation current \| 潛力預估: MRAM可應於可攜式消費性電子或資訊產品，是繼Flash、DRAM、SRAM之後，最令人注目的新記憶體，成長空間極大。 @ 技術司可移轉技術資料集
用於40G光通訊用IC及光偵測器的Carbon-doped SiGe/Si HBT製程技	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 奈米電子關鍵技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 電流增益(Current Gain, hFE)：>100 · 閂住基極電阻(Pinched Base Resistance, RBS,P)：< 8 Kohm/sq · 截止頻率(Cut-Off Fre... \| 潛力預估: 以低成本及Si製程相容性的優勢，將有利於切入高速傳輸的光通訊元件及高功率RF IC的市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
相變化薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院通訊與光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 薄膜阻值變化率>102 2.相變化時間 \| 潛力預估: 相變化記憶體可應於可攜式消費性電子或資訊產品，可切入既有的 DRAM、SRAM與Flash市場。 @ 技術司可移轉技術資料集
高介電值閘極介電物技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 高介電常數:k>20，等效厚度小於1.4奈米，漏電流小於氧化矽3個數量級 \| 潛力預估: 本技術是與應變電子具潛力的CMOS前瞻技術 @ 技術司可移轉技術資料集
相變化記憶體元件與製程技術	執行單位: 工研院院本部 \| 產出年度: 93 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 \| 領域: \| 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 \| 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大 @ 技術司可移轉技術資料集

[ 搜尋所有 03-5913917 ... ]

在『技術司專利資料集』資料集內搜尋:

與以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法同分類的技術司專利資料集

分離脆性材料的旋轉對位機構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 209926 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳貴榮 \| 江錦忠
改善非晶矽薄膜基板之製程方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 194454 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林宏彝 \| 吳東權 \| 李三保
晶圓電鍍裝置與方法	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 195797 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 杜陳忠 \| 蔣邦民 \| 王致誠 \| 黃振榮
晶片取放翻轉機構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 215880 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 劉俊賢 \| 黃國興 \| 林宏毅 \| 曾柏蒼
分離脆性材料的切割刀頭機構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 210192 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳貴榮 \| 陳孟群 \| 賴志一
分離脆性材料的切割刀頭機構	核准國家: 美國 \| 證書號碼: 6782883 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 發明 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳貴榮 \| 陳孟群 \| 賴志一
臥式線型馬達工具機封閉型框架結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 209952 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 張恩生 \| 林清源 \| 許晉謀 \| 龔宣任
光準直器中透鏡之夾持機構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 214550 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 邱顯森 \| 黃相宇 \| 劉松河
光準直器自動組裝系統改良結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 210229 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 黃相宇 \| 劉松河 \| 邱顯森
光纖準直器自動化組裝系統改良結構	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 219577 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 劉松河 \| 黃相宇 \| 邱顯森
用于納米轉印的平行度調整裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL03257537.8 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳明祈 \| 馮文宏 \| 陳釧鋒 \| 許嘉峻 \| 林家弘 \| 鍾永鎮
用於奈米轉印之平行度調整裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 217025 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 陳明祈 \| 馮文宏 \| 陳釧鋒 \| 許嘉峻 \| 林家弘 \| 鍾永鎮
用于納米轉印的均勻施壓裝置	核准國家: 中國大陸 \| 證書號碼: ZL03257536.X \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 鍾永鎮 \| 林家弘 \| 許嘉峻 \| 陳釧鋒 \| 馮文宏 \| 陳明祈
用於奈米轉印之均勻施壓裝置	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: 217875 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 鍾永鎮 \| 林家弘 \| 許嘉峻 \| 陳釧鋒 \| 馮文宏 \| 陳明祈
均光模組	核准國家: 中華民國 \| 證書號碼: M243671 \| 專利期間起: \| 專利期間訖: \| 專利性質: 新型 \| 執行單位: 工研院機械所 \| 產出年度: 93 \| 計畫名稱: 工研院精密機械與微機電領域環境建構計畫 \| 專利發明人: 林坤龍 \| 周敏傑

以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法 - 技術司專利資料集 @ 經濟部

序號

產出年度

領域別

專利名稱-中文

執行單位

產出單位

計畫名稱

專利發明人

核准國家

獲證日期

證書號碼

專利期間起

專利期間訖

專利性質

技術摘要-中文

技術摘要-英文

聯絡人員

電話

傳真

電子信箱

參考網址

備註

特殊情形

在『技術司專利資料集』資料集內搜尋:

與以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法同分類的技術司專利資料集

以無電鍍法於氮化物障礙層上沉積金屬導線的方法
- 技術司專利資料集 @ 經濟部