製造反射型液晶顯示面板之方法及所製之裝置
- 技術司專利資料集 @ 經濟部

專利名稱-中文製造反射型液晶顯示面板之方法及所製之裝置的核准國家是中華民國, 證書號碼是185243, 專利性質是發明, 執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 專利發明人是丁岱良.

序號737
產出年度93
領域別(空)
專利名稱-中文製造反射型液晶顯示面板之方法及所製之裝置
執行單位工研院電子所
產出單位(空)
計畫名稱下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
專利發明人丁岱良
核准國家中華民國
獲證日期(空)
證書號碼185243
專利期間起(空)
專利期間訖(空)
專利性質發明
技術摘要-中文發表一種製造反射型液晶顯示面板中所用的具有傾斜面反射器之方法,以及製造一種具有傾斜面反射器的反射型液晶顯示面板之方法,以及由此種方法所製成之液晶顯示面板。在該反射器中,一正光阻層由曝光能量的多種配量而曝光形成多梯次型態,然後將該層顯像為多梯次表面。在進行一回火製程後,該多梯次表面被平順化以產生一傾斜面,其角度至少為0.5度。一第二光阻層接著沈積於第一光阻層上,使其更為平坦。最後,一金屬覆蓋層,如銀或鋁或任何其他高反射性材料,則沈積於第二光阻層上而形成一反射器。
技術摘要-英文(空)
聯絡人員謝旺廷
電話03-5913551
傳真(空)
電子信箱wthsieh@itri.org.tw
參考網址http://www.itri.org.tw
備註原領域別為通訊光電,95年改為電資通光
特殊情形(空)

序號

737

產出年度

93

領域別

(空)

專利名稱-中文

製造反射型液晶顯示面板之方法及所製之裝置

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

專利發明人

丁岱良

核准國家

中華民國

獲證日期

(空)

證書號碼

185243

專利期間起

(空)

專利期間訖

(空)

專利性質

發明

技術摘要-中文

發表一種製造反射型液晶顯示面板中所用的具有傾斜面反射器之方法,以及製造一種具有傾斜面反射器的反射型液晶顯示面板之方法,以及由此種方法所製成之液晶顯示面板。在該反射器中,一正光阻層由曝光能量的多種配量而曝光形成多梯次型態,然後將該層顯像為多梯次表面。在進行一回火製程後,該多梯次表面被平順化以產生一傾斜面,其角度至少為0.5度。一第二光阻層接著沈積於第一光阻層上,使其更為平坦。最後,一金屬覆蓋層,如銀或鋁或任何其他高反射性材料,則沈積於第二光阻層上而形成一反射器。

技術摘要-英文

(空)

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

傳真

(空)

電子信箱

wthsieh@itri.org.tw

參考網址

http://www.itri.org.tw

備註

原領域別為通訊光電,95年改為電資通光

特殊情形

(空)

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嘉義縣朴子市大葛社區發展協會

據點連絡電話: 0912-185243 | 據點所在地址: 嘉義縣朴子市大葛里12鄰50-3號 | 朴子市 | 提供服務項目: 關懷訪視、餐飲服務、健康促進活動

@ 嘉義縣社區照顧關懷據點

嘉義縣朴子市大葛社區發展協會

據點連絡電話: 0912-185243 | 據點所在地址: 嘉義縣朴子市大葛里12鄰50-3號 | 朴子市 | 提供服務項目: 關懷訪視、餐飲服務、健康促進活動

@ 嘉義縣社區照顧關懷據點

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4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”;均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

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4"10"20" 奈米碳管背光技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_;2.efficiency>5 lm/W | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場,極具市場潛力

@ 技術司可移轉技術資料集

LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Panel Size : 3.8”;Pixel number:320 x 3 x240;Resolution:QVGA;Pixel pitch:80 um x 240 um;Aperture rati... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

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輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 | 領域: | 技術規格: | 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、PDA市場,極具市場潛力

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20吋奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Size:20”;均勻度 | 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場,極具市場潛力

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CNT-BLU技術商品化規格驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits;81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_;表面溫度 | 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場,極具市場潛力

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CNT-FED/CNT-BLU材料驗證

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole | 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場,極具市場潛力

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10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_;pixel size=500μm X 500μm_x000D_;250 nits;spacer=100 μm _x000D_ | 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場,極具市場潛力

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LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術

執行單位: 工研院電子所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 | 領域: | 技術規格: 10” VGA_x000D_;Pixel number:640 x 3 x480_x000D_;Pixel pitch:90 um x 120 um_x000D_;Aperture ratio: 30... | 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場,極具市場潛力

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與製造反射型液晶顯示面板之方法及所製之裝置同分類的技術司專利資料集

觸變成型原材料的製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 207120 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 范元昌, 陳俊沐, 蘇健忠, 楊智超

產生偏極化光源之導光模組

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 201788 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蔡明郎, 溫俊祥, 郭惠隆, 黃國棟, 吳耀庭, 胡應強, 李世光, 余良彬, 陳品誠, 劉安順

具有雙金屬層光柵的偏光元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I223103 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 丘至和, 郭惠隆, 劉怡君, 陳品誠

多孔性材料在陶瓷基板上平坦化

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,667,072 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 徐文泰, 盧榮宏, 廖聖茹, 張懷祿, 洪松慰, 黃瑞呈

自組成奈米介面結構在電子元件的應用

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 194413 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 廖聖茹, 盧榮宏, 張懷祿, 陳炯雄, 黃依蘋, 周裕福, 潘浩然

場發射源元件的金屬性奈米絲或奈米管的植入方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I221624 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 徐文泰, 盧榮宏, 周有偉, 葉國光, 戴椿河, 張志銘

微米針頭陣列製造方法及其結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 194421 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳玄芳, 周淑金, 葉信宏, 楊昀良, 顏佳瑩

薄膜之低溫成長方法與設備

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200889 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 彭成鑑, 陳豐彥

薄膜體聲波共振子濾波裝置及使用該裝置之雙工器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 198451 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 邢泰剛, 戴建雄, 田慶成, 李耀東

具有表面奈米機能結構之材料及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I224079 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳一誠, 曾永寬, 林澤勝

平衡式架構之薄膜體聲波共振子濾波裝置及使用該裝置之雙工器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I224891 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 戴建雄, 邢泰剛, 田慶成, 李耀東

積體化薄膜被動元件之製造方法及其結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 195323 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 張宏宜, 鄭世裕, 許清淵

製造含有多數個被動元件之單一積體化元件的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,737,282 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鄭世裕, 陳雲田

一種具有多階反射率的可覆寫相變化型光記錄媒體結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220521 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 方敦盈, 曾美榕, 鄧明人, 蔡松雨

超高密度可錄式光資訊記錄媒體及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220522 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 曾美榕, 徐偉智, 蔡松雨, 鄧明人

觸變成型原材料的製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 207120 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 范元昌, 陳俊沐, 蘇健忠, 楊智超

產生偏極化光源之導光模組

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 201788 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 蔡明郎, 溫俊祥, 郭惠隆, 黃國棟, 吳耀庭, 胡應強, 李世光, 余良彬, 陳品誠, 劉安順

具有雙金屬層光柵的偏光元件及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I223103 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 丘至和, 郭惠隆, 劉怡君, 陳品誠

多孔性材料在陶瓷基板上平坦化

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,667,072 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 徐文泰, 盧榮宏, 廖聖茹, 張懷祿, 洪松慰, 黃瑞呈

自組成奈米介面結構在電子元件的應用

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 194413 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 廖聖茹, 盧榮宏, 張懷祿, 陳炯雄, 黃依蘋, 周裕福, 潘浩然

場發射源元件的金屬性奈米絲或奈米管的植入方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I221624 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 徐文泰, 盧榮宏, 周有偉, 葉國光, 戴椿河, 張志銘

微米針頭陣列製造方法及其結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 194421 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 | 專利發明人: 陳玄芳, 周淑金, 葉信宏, 楊昀良, 顏佳瑩

薄膜之低溫成長方法與設備

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 200889 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 彭成鑑, 陳豐彥

薄膜體聲波共振子濾波裝置及使用該裝置之雙工器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 198451 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 邢泰剛, 戴建雄, 田慶成, 李耀東

具有表面奈米機能結構之材料及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I224079 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 陳一誠, 曾永寬, 林澤勝

平衡式架構之薄膜體聲波共振子濾波裝置及使用該裝置之雙工器

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: I224891 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 戴建雄, 邢泰剛, 田慶成, 李耀東

積體化薄膜被動元件之製造方法及其結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 195323 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 張宏宜, 鄭世裕, 許清淵

製造含有多數個被動元件之單一積體化元件的方法

核准國家: 美國 | 證書號碼: 6,737,282 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 鄭世裕, 陳雲田

一種具有多階反射率的可覆寫相變化型光記錄媒體結構

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220521 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 方敦盈, 曾美榕, 鄧明人, 蔡松雨

超高密度可錄式光資訊記錄媒體及其製造方法

核准國家: 中華民國 | 證書號碼: 220522 | 專利期間起: | 專利期間訖: | 專利性質: 發明 | 執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 專利發明人: 曾美榕, 徐偉智, 蔡松雨, 鄧明人

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