UXGA/HDTV LCoS技術
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技術名稱-中文UXGA/HDTV LCoS技術的執行單位是工研院電子所, 產出年度是93, 計畫名稱是下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫, 技術規格是Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pixel Pitch : 11um .Display Area : 0.995" Diagonal ...., 潛力預估是可搶攻HDTV市場，極具市場潛力.

序號	631
產出年度	93
技術名稱-中文	UXGA/HDTV LCoS技術
執行單位	工研院電子所
產出單位	(空)
計畫名稱	下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫
領域	(空)
已申請專利之國家	(空)
已獲得專利之國家	(空)
技術現況敘述-中文	LCOS Pixel及週邊電路設計
技術現況敘述-英文	(空)
技術規格	Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pixel Pitch : 11um .Display Area : 0.995" Diagonal .Frame Rate : 75Hz .Integrated Gate Driver & 8-bit Data Driver
技術成熟度	雛型
可應用範圍	高解析度背投影電視、高解析度投影機
潛力預估	可搶攻HDTV市場，極具市場潛力
聯絡人員	謝旺廷
電話	03-5913551
傳真	(空)
電子信箱	wthsieh@itri.org.tw
參考網址	http://itrijs.itri.org.tw/main/select.jsp
所須軟硬體設備	軟體設備: Layout 軟體、smart spice 模擬軟體 LVS DRC軟體 b.硬體設備: 工作站(Unix OS)
需具備之專業人才	理工相關背景

序號

631

產出年度

技術名稱-中文

UXGA/HDTV LCoS技術

執行單位

工研院電子所

產出單位

(空)

計畫名稱

下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫

領域

(空)

已申請專利之國家

(空)

已獲得專利之國家

(空)

技術現況敘述-中文

LCOS Pixel及週邊電路設計

技術現況敘述-英文

(空)

技術規格

Resolution : 1944 x 1224 .HDTV (1920 x 1080) .UXGA (1600 x 1200) .±12 Pixel Electronic Alignment .Pixel Pitch : 11um .Display Area : 0.995" Diagonal .Frame Rate : 75Hz .Integrated Gate Driver & 8-bit Data Driver

技術成熟度

雛型

可應用範圍

高解析度背投影電視、高解析度投影機

潛力預估

可搶攻HDTV市場，極具市場潛力

聯絡人員

謝旺廷

電話

03-5913551

傳真

(空)

電子信箱

wthsieh@itri.org.tw

參考網址

http://itrijs.itri.org.tw/main/select.jsp

所須軟硬體設備

軟體設備: Layout 軟體、smart spice 模擬軟體 LVS DRC軟體 b.硬體設備: 工作站(Unix OS)

需具備之專業人才

理工相關背景

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4"10"20" 奈米碳管背光技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Brightness>4000 nits_x000D_；2.efficiency>5 lm/W \| 潛力預估: 可搶攻LCD-TV之背光源市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
LTPS-TFT Top emission AMOLED 模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Panel Size : 3.8”；Pixel number：320 x 3 x240；Resolution：QVGA；Pixel pitch：80 um x 240 um；Aperture rati... \| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
輕、薄、耐衝擊之上板塑膠化彩色液晶顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院電子資訊與通訊光電領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: \| 潛力預估: 可搶攻Note Book、手機、ＰＤＡ市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
20吋奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Size:20”；均勻度 \| 潛力預估: 可搶攻戶外資訊顯示,車用顯示器市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
CNT-BLU技術商品化規格驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 20吋, 亮度>6000nits；81點亮度均勻度(/平均值)>70%_x000D_；表面溫度 \| 潛力預估: 可搶攻LCD-TV等背光源市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
CNT-FED/CNT-BLU材料驗證	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Ag 電極: line/width< 30μm/30μm, sintering T100V/μm, pattern/etching hole \| 潛力預估: 可搶攻自發光之顯示器(CNT-FED)或LCD-TV之背光源(CNT-BLU)市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
10吋厚膜式奈米碳管場發射顯示技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” QVGA-320x3x240_x000D_；pixel size=500μm X 500μm_x000D_；250 nits；spacer=100 μm _x000D_ \| 潛力預估: 可搶攻車用顯示器、戶外資訊顯示器、背光板等.市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集
LTPS-TFT AMOLED模組與製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 下世代平面顯示關鍵技術發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 10” VGA_x000D_；Pixel number：640 x 3 x480_x000D_；Pixel pitch：90 um x 120 um_x000D_；Aperture ratio： 30... \| 潛力預估: 可搶攻車用型顯示器市場，極具市場潛力 @ 技術司可移轉技術資料集

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厚膜光阻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 正光阻 : 光阻厚度 ~ 60um, 深寬比~3；負光阻 : 光阻厚度~ 800um, 深寬比~30 \| 潛力預估: 成本低、製程簡單之高深寬比結構。
利用單晶矽之反應性蝕刻與金屬化等製程製作微機電元件	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 結構高度(max.) : > 10 um、寬度 : > 2 um、結構間隙 : > 2 um ；深寬比 > 3 \| 潛力預估: 製程簡單、成本低、一道光罩,CMOS製程相容。
低應力薄膜製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: SIN Film Stress \| 潛力預估: 穩定可量產
矽晶片濕蝕刻精密對準製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: KOH蝕刻參數及精密對準的光罩（error＜0.2度）。 \| 潛力預估: 本製程可提升產品良率，降低生產成本
微氣體感測器	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 微奈米系統應用技術四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 規格Specification：Chip Material 、Silicon、Thick Film Material 、TinOxide、Driving Voltage 、 \| 潛力預估: 應用微機電製程製作氣體感測器
矽晶片蝕穿技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 矽蝕刻深度 > 525um_x000D_；蝕刻率 > 4 um/min_x000D_；蝕刻垂直度 > 89度；深寬比 > 30 \| 潛力預估: 最小蝕穿噴孔20um（比雷射加工50 um要小很多）；深寬比可達20。
矽晶深蝕刻製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: Etching depth: 10~300um_x000D_；Etching rate: 1~3um/min \| 潛力預估: 微機電系統與元件應用上常需要數百um深或高深寬比結構，本製程技術為其解決方法。
低表面缺陷非晶質矽膜之製作技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院先進製造與系統領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 製程溫度 : 300°C ；薄膜厚度 >2um \| 潛力預估: 製程簡單、與電路整合性高等優勢成本低。
無鉛製程技術資訊平台建立	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 對於無鉛驗證標準工作之努力可從產業服務、無鉛技術輔導及可靠度驗證說明：無鉛定義(未刻意添加下，材料、鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%，鹵素含量小於900ppm)、產品定點含鉛量檢測(取樣標準與定點定義... \| 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量，衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品，諸如伺服器與工作站、桌上型電腦，筆記型電腦、主機板、消...
基板內藏元件整合設計與模型庫技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 工作頻段：2.4GHz；新材料(εr≧38 \| 潛力預估: 基板材料業、電路板製造業、電子構裝業、系統組裝業和通訊系統業...等
射頻內藏被動元件之模型程式庫技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.Specification of Embedded inductor and Embedded capacitor (Frequency 6GHz) _x000D_ITEM Specificati... \| 潛力預估: 基板內藏被動元件，可以取代傳統SMD元件，市場上具有龐大的商業潛力，依據市場知名市調公司PRISMARK預估，西元2006年內藏被動元件需求約佔整體被動元件10%以上，商機需求逐年擴增；且係通訊產品高...
3D基板式堆疊構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: Through-Si方式達成晶片與晶片間之訊號傳遞_x000D_；一步成型式導通孔技術 \| 潛力預估: 藉著3D堆疊構裝的發展，除了能將記憶體在電路板上所佔的面積大幅縮小，提升電子產品縮小化的效率外，更能將原本功能不同的晶片整合在同一構裝模組中，而以最有效益的方式，達到System in Packa...
迴路型熱管散熱技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: 蒸發端區域與冷凝端區域：45×45×3 mm (依據散_x000D_熱需求增大或縮小)；傳輸距離30 cm \| 潛力預估: 以真空硬銲方式接合，外觀與強度符合所需，蒸發端與冷凝端均為平面構造，易與熱源及散熱裝置接合_x000D_與Thermacore產品/Therma-Loop技術同步
無鉛製程技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 工研院材料與化工領域環境建構計畫 \| 領域: \| 技術規格: 1.材料, 鍍層與銲點含鉛量小於0.1wt%, 鹵素含量_x000D_小於900ppm_x000D_。2.產品定點含鉛量檢測與分析標準 \| 潛力預估: 隨著歐盟(EU)通過2006年7月有害物質禁用(RoHS)之指令。此禁令將有效禁止電子類產品中之鉛含量，衝擊之大涵蓋所有使用有鉛銲錫之電子類產品，諸如伺服器與工作站、主機板、消費性電子產品與通訊、資訊...
增益型晶圓級晶方尺度構裝技術	執行單位: 工研院電子所 \| 產出年度: 94 \| 產出單位: \| 計畫名稱: 電子關鍵性材料與整合模組發展四年計畫 \| 領域: \| 技術規格: *Die size:1010mm；Pitch: 0.8mm, 1.0mm；Solder ball:eutectic @lead free solder_x000D_；Wafer size: 6" or...** \| 潛力預估: 電子所擁有雙應力緩衝層之晶圓級構裝設計專利(double elastomers layers WL-CSP design，。其結構設計，第一層之應力緩衝層可同時作為底保護層及第一層應力緩衝，第二層之應...